![]() Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
![]() Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
![]() |
Дислокации
Рис.19.2. Полярные координаты точки "наблюдения" А относительно краевой дислокации Видно, что напряжения зависят от полярных координат Рис. 19.3. Поля напряжений вокруг отдельной краевой дислокации в кристалле фаната, В отличие от вакансий, дислокации - дефекты термодинамически неустойчивые. Присутствие дислокации всегда повышает общую свободную энергию кристалла (хотя конфигурационная и колебательная энтропии решетки при этом увеличиваются). Поэтому, все процессы стабилизации структуры идут с перераспределением и понижением плотности дислокаций и выделением избыточной энергии в виде тепла. Энергия дислокации Е - это работа, затрачиваемая на создание дислокации в решетке. Винтовую дислокацию можно создать действующим напряжением
Аналогично для краевой дислокации (на ед. длины) имеем: Здесь R- радиус действия поля дислокации. Элементарная площадка dS ед. длины дислокации равна F для создания смещения в i В период сдвига напряжения линейно возрастают от 0 до величину касательного напряжения, равного ед. длины дислокации пропорциональна квадрату вектора Бюргерса, Для каждой температуры Т радиус поля действия дислокации можно найти из условия соизмеримости энергии поля дислокации на расстоянии R и тепловой энергией на одну степень свободы колеблющ ихся атомов, т.е.
Полагая r0 = b и dR При Т=300°А' R= (30 Бюргерса смешанной дислокации компоненты.
Рис. 19.4. Разложение вектора Бюргерса смешанной дислокации на чисто краевую и винтовую компоненты Расчёты показывают, что потенциальная энергия ядра дислокации не превышает ОД энергии упругой деформации. Энергия винтовой дислокации для разных кристаллических структур находится в пределах 3 Увеличение длины дислокации приводит к росту её энергии Поэтому линия дислокации ведет себя как упругая нить всегда стремящаяся выпрямиться, чтобы сократить свою длину. Энергию дислокации на ед. её длины называютлинейным натяжением дислокации F где Сила линейного натяжения направлена вдоль линии дислокации, когда она изгибается относительно основных узлов сетки под действием напряжений Рис, 19.5.Действие сил линейного натяжения F на изогнутую дислокационную линию В потенциальном поле подложки (рельеф Пайерлса) дислокация стремится расположиться большей своей частью внутри потенциальных «долин Пайерлса», т.е. параллельно направлениям плотнейшей упаковки и меньшей частью - на «барьерах». Это происходит из-за того, что поле атомов "подложки" всегда превышает энергию натяжения. Дислокация становится волнистой. Причем, чем выше барьер Пайерлса (например, в кристаллах с направленной ковалентной связью: Si,Ge), тем сильнее изогнется дислокация, образуя геометрические перегибы (рис. 19,6, 1 - металл, 2 -полупроводник). Рис.19.6. Расположение линии дислокации относительно рельефа Пайерлса 1 - металл, 2 - полупроводник В металлах величина барьеров Пайерлса существенно меньше, межатомные связи ненаправленные и дислокация будет менее изогнута относительно рельефа Пайерлса. Благодаря взаимодействию такие перегибы могут перемещаться вдоль плотноупакованных направлений под действием малых напряжений
внутреннему трению). Процесс движения перегибов - процесс термически активируемый, Частота образования термических перегибов (выброс участка дислокации в соседнюю «долину Пайерлса») экспоненциально возрастает с температурой. Так что если при низких температурах (частота воздействия внешней силы
используется модель струны. Уравнения движения дислокации сходны с уравнениями движения микрочастицы в теории относительности. Скорость звука здесь является такой же предельной скоростью, как скорость света в теории относительности Эйнштейна. Когда скорость дислокации V приближается к скорости звука С в кристалле, энергия дислокации бесконечно возрастает где Таким образом, дислокация не может двигаться быстрее звука: (2 + 5) * 10 Зм/с. В обычных экспериментах скорость дислокации составляют величину порядка 0,1с. При деформации взрывом, скоростных испытаниях, фазовых превращениях силу релятивистских причин (массы и инерционных сил дислокации) и деформация может идти либо двойникованием, либо бездислокационным путем. Опыт показывает параболическую зависимость дислокации от внешнего напряжения Рис. 19.7. Зависимость скорости движения дислокации от уровня внешних напряжений
где Из формулы видно, что незначительные изменения напряжений г могут вызвать изменение скорости дислокации V на несколько порядков величины. При этом, как это было показано ранее, краевые компоненты дислокации движутся на 1-2 порядка быстрее винтовых. Выводы 1. В дислокационном ядре смещения атомов превышают упругие и 2. Упругое поле дислокации является дальнодействующим и убывает 3. Дислокации - дефекты термодинамически неустойчивые. 4. Сила линейного натяжения направлена всегда вдоль линии Date: 2015-09-24; view: 591; Нарушение авторских прав |