Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Конденсаторная модель Гоетцбергера для флуктуаций поверхностного потенциала





Пусть флуктуации поверхностного потенциала обусловлены крупномасштабными технологическими флуктуациями плотности встроенного в диэлектрик заряда Q ox = qN ox. Толщина подзатворного диэлектрика d ox и концентрация легирующей примеси N D,A, как видно из рисунка 3.22а, б, остается постоянной.

Рассмотрим, каким образом можно получить функции распределения P (ψ s) поверхностного потенциала ψ s вдоль границы раздела полупроводник – диэлектрик. Пусть – среднее число заряженных центров на границе раздела полупроводник – диэлектрик, приходящееся на характеристическую площадку α s. Под характеристической площадкой α s будем понимать ту минимальную площадь, на которую можно разбить МДП‑структуру, чтобы в пределах этой площадки величина поверхностного потенциала была одинакова. Если – большое число, то функция P (N) будет гауссовской аппроксимацией распределения Пуассона:

. (3.122)

Величина N и плотность заряда Q ox на площадке α s связаны очевидным соотношением:

. (3.123)

Комбинируя (3.122) и (3.123), получаем для функции распределения плотности заряда P (Q ox):

. (3.124)

Для функции распределения поверхностного потенциала имеем:

. (3.125)

Продифференцировав уравнение электронейтральности в виде (3.121) и учитывая, что , а также, что величина dV G = 0, так как напряжение V G одинаково для каждой характеристической площадки α s, получаем:

(3.126)

где – среднее значение заряда Q ox и поверхностного потенциала ψ s.

Подставляя в уравнение (3.125) для функции распределения P (ψ s) соотношения (3.126) и (3.124), имеем:

, (3.127)

где величина относительной среднеквадратичной флуктуации потенциала равняется:

. (3.128)

Среднеквадратичная флуктуация потенциала σ ψ, определяющая отклонение ψ s от среднего значения , будет равна:

. (3.129)

Из соотношения (3.128) следует, что флуктуации потенциала описываются в конденсаторной модели нормальным распределением. Величина среднеквадратичной флуктуации потенциала определяется толщиной диэлектрика d ox, плотностью поверхностных состояний N ss, величиной средней плотности заряженных центров на границе раздела. Величина α s, входящая в (3.128), в рассмотрении точно не определена. Сравнение теоретического рассмотрения конденсаторной модели с экспериментом по анализу кривых нормированной проводимости G p/ ω показало, что величина площадки α s равна в области обеднения МДП‑структуры квадрату ширины обедненной области (рис. 3.23).

Рис. 3.23. Зависимость площадки α s от ширины области обеднения W







Date: 2015-05-05; view: 448; Нарушение авторских прав



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию