Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Конденсаторная модель Гоетцбергера для флуктуаций поверхностного потенциала
Пусть флуктуации поверхностного потенциала обусловлены крупномасштабными технологическими флуктуациями плотности встроенного в диэлектрик заряда Q ox = qN ox. Толщина подзатворного диэлектрика d ox и концентрация легирующей примеси N D,A, как видно из рисунка 3.22а, б, остается постоянной. Рассмотрим, каким образом можно получить функции распределения P (ψ s) поверхностного потенциала ψ s вдоль границы раздела полупроводник – диэлектрик. Пусть – среднее число заряженных центров на границе раздела полупроводник – диэлектрик, приходящееся на характеристическую площадку α s. Под характеристической площадкой α s будем понимать ту минимальную площадь, на которую можно разбить МДП‑структуру, чтобы в пределах этой площадки величина поверхностного потенциала была одинакова. Если – большое число, то функция P (N) будет гауссовской аппроксимацией распределения Пуассона: . (3.122) Величина N и плотность заряда Q ox на площадке α s связаны очевидным соотношением: . (3.123) Комбинируя (3.122) и (3.123), получаем для функции распределения плотности заряда P (Q ox): . (3.124) Для функции распределения поверхностного потенциала имеем: . (3.125) Продифференцировав уравнение электронейтральности в виде (3.121) и учитывая, что , а также, что величина dV G = 0, так как напряжение V G одинаково для каждой характеристической площадки α s, получаем: (3.126) где – среднее значение заряда Q ox и поверхностного потенциала ψ s. Подставляя в уравнение (3.125) для функции распределения P (ψ s) соотношения (3.126) и (3.124), имеем: , (3.127) где величина относительной среднеквадратичной флуктуации потенциала равняется: . (3.128) Среднеквадратичная флуктуация потенциала σ ψ, определяющая отклонение ψ s от среднего значения , будет равна: . (3.129) Из соотношения (3.128) следует, что флуктуации потенциала описываются в конденсаторной модели нормальным распределением. Величина среднеквадратичной флуктуации потенциала определяется толщиной диэлектрика d ox, плотностью поверхностных состояний N ss, величиной средней плотности заряженных центров на границе раздела. Величина α s, входящая в (3.128), в рассмотрении точно не определена. Сравнение теоретического рассмотрения конденсаторной модели с экспериментом по анализу кривых нормированной проводимости G p/ ω показало, что величина площадки α s равна в области обеднения МДП‑структуры квадрату ширины обедненной области (рис. 3.23). Рис. 3.23. Зависимость площадки α s от ширины области обеднения W Date: 2015-05-05; view: 448; Нарушение авторских прав |