![]() Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
![]() Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
![]() |
Конденсаторная модель Гоетцбергера для флуктуаций поверхностного потенциала
Пусть флуктуации поверхностного потенциала обусловлены крупномасштабными технологическими флуктуациями плотности встроенного в диэлектрик заряда Q ox = qN ox. Толщина подзатворного диэлектрика d ox и концентрация легирующей примеси N D,A, как видно из рисунка 3.22а, б, остается постоянной. Рассмотрим, каким образом можно получить функции распределения P (ψ s) поверхностного потенциала ψ s вдоль границы раздела полупроводник – диэлектрик. Пусть
Величина N и плотность заряда Q ox на площадке α s связаны очевидным соотношением:
Комбинируя (3.122) и (3.123), получаем для функции распределения плотности заряда P (Q ox):
Для функции распределения поверхностного потенциала имеем:
Продифференцировав уравнение электронейтральности в виде (3.121) и учитывая, что
где Подставляя в уравнение (3.125) для функции распределения P (ψ s) соотношения (3.126) и (3.124), имеем:
где величина относительной среднеквадратичной флуктуации потенциала
Среднеквадратичная флуктуация потенциала σ ψ, определяющая отклонение ψ s от среднего значения
Из соотношения (3.128) следует, что флуктуации потенциала описываются в конденсаторной модели нормальным распределением. Величина среднеквадратичной флуктуации потенциала определяется толщиной диэлектрика d ox, плотностью поверхностных состояний N ss, величиной средней плотности заряженных центров Рис. 3.23. Зависимость площадки α s от ширины области обеднения W Date: 2015-05-05; view: 466; Нарушение авторских прав |