Устройство полевого транзистора на основе МДП-структуры показано на рисунке 4.1

Рисунок 4.1- Структура полевого МДП-транзистора с встроенным каналом

От биполярного транзистора полевой транзистор отличается:

1) принципом действия: в биполярном транзисторе управление производится входным током, а в полевом транзисторе - входным напряжением или электрическим полем;

2) полевой транзистор (это очень важно!) обладает большим входным сопротивлением - это сопротивление обратно смещенного p-n перехода или изолированного затвора;

3) в полевом транзисторе не используется инжекция неосновных носителей заряда - отсюда уменьшение рекомбинационных явлений и низкий уровень шумов (особенно на низких частотах).

МДП-транзисторы подразделяются на:

· полевой транзистор с изолированным затвором, работающий на основе появления индуцированного проводящего канала только при определенной полярности и определенном значении напряжения на затворе относительно истока;

· полевой транзистор с изолированным затвором и со встроенным каналом, изготовляемым технологически.

Существуют также полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. Сущность которого состоит в изменении площади сечения канала в соответствии с изменением напряжения между затвором и истоком Uзu. Легко увидеть, что принципы работы полевых транзисторов с изолированным затвором и управляющим p-n переходом в основном совпадают:

1) цепь управления изолирована от выходной цепи и потребляет ничтожную мощность управления;

2) эффект управления сводится к изменению сопротивления проводящего канала;

3) управляющее электрическое поле направлено перпендикулярно выходному току (структура с горизонтальным каналом).

Однако отметим принципиальную разницу: полевой транзистор с управляющим p-n переходом (ПТУП) - это нормально открытый прибор, а МДП-транзистор с изолированным затвором - нормально закрытый.

Отсюда:

· меньше входное сопротивление и меньшее быстродействие у ПТУП по сравнению с сопротивлением у МДП.

Есть у ПТУП и преимущества:

· малый уровень собственных шумов;

· высокая стабильность параметров во времени;

· высокая радиационная стойкость.