Главная Случайная страница



Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника







Теоретическое введение. Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор, содержащий два взаимодействующихp-n перехода и предназначенный для генерации





Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор, содержащий два взаимодействующихp-n перехода и предназначенный для генерации, усиления и преобразования сигналов электромагнитной природы. Термин "биполярный" означает, что физические процессы в приборе обусловлены движением носителей заряда обоих знаков (электронов и дырок).

Конструктивно транзистор представляет собой монокристалл полупроводника, в котором сформулированы чередующиеся области с разным типом проводимости. Соответственно различают транзисторыp-n-p типа и n-p-n типа. Средняя область, которая делается достаточно тонкой (что принципиально важно для работы транзистора), называется базой. Две другие - эмиттер и коллектор. База отделена от эмиттера и коллектора эмиттерным и коллекторнымp-n переходами. Из названий, очевидно, что назначение эмиттера - инжектировать носителя заряда в базу, задача коллектора - экстракция носителей из базы.

В соответствии с наличием трех выводов возможны три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ) рисунок 1a, с общим эмиттером (ОЭ) рисунок 1б, с общим коллектором (ОК) рисунок 1в.

 

Рисунок 3.1- Три схемы включения транзистора

Существуетчетыре режима работы биполярных транзисторов: нормальный активный, двойной инжекции, отсечки и инверсный активный. В нормальном активном режиме эмиттерный переход включен в прямом направлении, а коллекторный - в обратном. В режиме двойной инжекции оба перехода включены в прямом направлении. В режиме отсечки оба перехода включены в обратном направлении. В инверсном режиме коллекторный переход включен в прямом направлении, а эмиттерный - в обратном.

Поведение транзистора, как и любого другого прибора, в электрической цепи определяется его статическими характеристиками.

 

Статические характеристики - это уравнения, связывающие входные и выходные токи и напряжения.

Наиболее часто применяются зависимости входных и выходных токов и напряжений, выраженные в h - параметрах:

U1 = h11 I1 + h12 U2



I 2 = h21 I1 + h22 U2

h - параметры имеют простой физический смысл :

h11 = U1 / I1 , при U2 = 0 – входное сопротивление при коротком замыкании выходной цепи;

h12 = U1 / U2 , при I1 = 0 –

коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе во входной цепи;

h21 = I2 / I1 , при U2 = 0 – коэффициент передачи тока при коротком замыкании выходной цепи;

h22 = I2 / U2 , при I1 = 0 – выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи.

Итак, для определения h - параметров необходим режим короткого замыкания в выходной цепи и режим холостого хода во входной. Это достаточно просто осуществляется экспериментально, поскольку указанные режимы близки к режимам работы транзистора в реальных схемах.

 

3.2 Предварительная подготовка к работе

Перед выполнением лабораторной работы студент должен познакомиться с основными положениями теории по изучаемому вопросу и ответить на контрольные вопросы. Выяснить и усвоить физический смысл параметров транзисторов приведенных в таблице 3.1.

 

 

Таблица 3.1- Предельно допустимые параметры некоторых транзисторов

Тип транзистора Наибольший ток коллектора Iк, А Наибольшее напряжение между коллектором и базой U бк mах ,В Наибольшее напряжение между коллектором и эмиттером U кэ max ,В Наибольшее обратное напряжение между эмиттером и базой U бэ max обр , В
КТ315Г 14) 0,1
КТ 361 0,1
КТ858АМ

 








Date: 2015-05-04; view: 348; Нарушение авторских прав



mydocx.ru - 2015-2021 year. (0.028 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию