Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Лабораторная работа №2. Исследование полупроводниковых диодов
Цель работы: изучение наиболее характерных свойств электронно-дырочного перехода, определяющих характеристики выпрямительного диода и стабилитрона Оборудование: лабораторный стенд, соединительные провода. 2.1 Теоретическое введение Электронно-дырочный переход(р-n - переход) - это контакт двух проводников с различным типом проводимости. Изготовляется он обычно из одного кристалла полупроводника, в котором формируются области с повышенной концентрацией акцепторной примеси (р - область) и донорной (n - область). В зависимости от технологии изготовления существуют различные переходы, примером могут бытьрезкий илиплавный переходы. В резком переходе область изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда, который образуется за счет диффузии электронов и дырок, а в плавном переходе - обратная ситуация. Если переход находится в равновесии (внешнее поле равно 0), то его состояние определяется двумя конкурирующими процессами: 1) диффузия основных носителей - дырок из р - области в n - область и диффузия электронов в обратном направлении; 2) дрейфом не основных носителей под действием электрического поля перехода. В условиях равновесия полный ток через переход (дрейфовый плюс диффузионный) носителей каждого знака равен нулю. Полупроводниковый кристалл, в котором сформирован электронно-дырочный переход и который заключен в корпус с двумя электрическими выводами, представляет собой p-n переход. Если приложить к переходу разность потенциалов U, то полный ток через переход будет определяться по формуле (1.1):
, (1.1) где I0 – ток насыщения; [ А ] q– заряд электрона; [ К ] k – постоянная Больцмана; [ Дж/К ] T – абсолютная температура; U – приложенное к переходу внешнее напряжение, причем “+” (плюс) – соответствует прямому напряжению, “–” (минус) - соответствует обратному напряжению; [ В ]. 2.2 Предварительная подготовка к работе Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в изучении теоретического материала. При изучении материала должны быть рассмотрены и кратко законспектированы следующие основные вопросы: 1) физические процессы, определяющие проводимость электронно-дырочного перехода; 2) типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика; 3) основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны. Описание схемы измерения Date: 2015-05-04; view: 826; Нарушение авторских прав |