Главная Случайная страница



Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника







Снятие вольтамперной характеристики диодов производится по схемам приведенным на рисунке 2.1





 


а) б)

Рисунок 2.1- Схемы для снятия вольтамперных характеристик диодов

Для уменьшения погрешности измерений следует соблюдать включения измерительных приборов. При прямом включении диода по схеме на рисунке 2.1а миллиамперметр измеряет сумму токов, проходящих через вольтметр и диод. Поскольку сопротивления прямо включенного перехода мало по сравнению с внутренним сопротивлением вольтметра, ток через диод значительно превышает ток вольтметра, и погрешность измерения тока будет незначительной.

Если по этой же схеме производить измерение обратного тока диода, то погрешность его измерения будет большой ввиду того, что сопротивление обратно смещенного перехода очень велико, и ток вольтметра может в несколько раз превышать ток диода. Поэтому измерение обратного тока диода следует производить по схеменарисунке 2.1б, для которой существует некоторая погрешность измерения напряжения на диоде. Однако эта погрешность очень мала, т.к. падение напряжения на низкоомном миллиамперметре значительно меньше, чем падение напряжения на диоде.

При исследовании обратной ветви характеристики стабилитрона отнуля до Uст следует пользоваться схемой на рисунке 2.1б, а при снятии рабочего участка, когда ток стабилитрона начинает резко увеличиваться, необходимо перейти к схеме нарисунке 2.1а, поменяв в ней полярность включения диода.

Элементы схемы и измерительные приборы в значительной степени определяются типом исследуемого диода или стабилитрона. В таблицах2.1 и 2.2 приведены основные параметры некоторых плоскостных диодов и стабилитронов, получивших широкое применение в электронной аппаратуре.

Примечание: значение ЭДС источника постоянного тока, зависит от типа исследуемого полупроводникового прибора. Однако в большинстве случаев достаточно прикладывать к диоду в прямом направлении напряжение порядка 1В, а в обратном - порядка 30 - 40В.

 

Таблица 2.1 - Основные данные плоскостных полупроводниковых диодов

Тип диода Выпрямленный ток ( среднее значение), Iвыпр., А Обратный ток(среднее значение), Iобр., mА Импульсное обратное напряжение, В Вид полупроводника Постоянное прямое напряжение более, В
КД221 0,7 0,6 Кремний 1,4
КД240 0,4 Кремний 1,2
КД208А Б,Г,Д 1,5 0,1 Кремний

 



 

Таблица 2.2 - Основные данные полупроводниковых стабилитронов

Тип стабилитрона Напряжение стабилизации   Рассеиваемая мощность, мВт Максимальный ток стабилизации, mА Минимальный ток стабилизации, mА Дифференциал сопротивление более, Ом
КС106 2,9-3,5 0,5 0,01
2С127А 2,7
КС175Ц 7,1-7,5 12-20 2,65 0,05
Д818 9-10,3
КС482 7,4-8,2







Date: 2015-05-04; view: 500; Нарушение авторских прав



mydocx.ru - 2015-2021 year. (0.008 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию