Расчет малосигнальных параметров транзистора

Для МДП-транзистора характерны следующие малосигнальные параметры: крутизна характеристики S, внутреннее сопротивление R_i, коэффициент усиления μ. Крутизна переходной характеристики S определяется как

(2.19)

и характеризуется изменением тока стока при единичном увеличении напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке.

Внутреннее сопротивление R_i определяется как

(2.20)

и характеризует изменение напряжения в выходной цепи, необходимое для единичного увеличения тока стока при неизменном напряжении на затворе.

Коэффициент усиления μ определяется как

(2.21)

и характеризуется изменением напряжения в выходной цепи при единичном изменении напряжения во входной и неизменном токе стока. Очевидно, что в области плавного канала крутизна S и дифференциальное сопротивление R_i будут иметь значения:

(2.22)

При этом коэффициент усиления?, равный их произведению, всегда меньше единицы:

21. Какие исходные данные необходимы для расчета геометрии МДП транзисторов?

РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК МДП-ТРАНЗИСТОРА

Исходные данные для расчетов:

Z_к=1500*10^-4 см — ширина п/п структуры;

L_k=6*10 ^-4 см — длина канала;

d=0,16*10^-4 см — толщина оксидного слоя (изолятора затвора);

N_a=6*10¹⁵ см ^-3 — концентрация акцепторов в подложке;

N_пов=1,2*10¹¹ см ^-2 — поверхностная плотность зарядов;

h_ист=4*10^-4 см — толщина истока;

L_ист=7*10^-4 см — длина истока;

h_cток=4*10^-4 см — толщина стока;

L_сток=7*10^-4 см — длина стока;

R_t=40 К/Вт — тепловое сопротивление корпуса.