Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
РезисторыСтр 1 из 14Следующая ⇒ Дайте определение различным типам микросхем (полупроводниковая, гибридная, совмещенная). Полупроводниковые (твердотельные) ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводниковой подложки. а) биполярные; б) МОП (металл-оксид-полупроводник); в) БИМОП (сочетание а) и б)). Гибридные ИС (микросборки) представляют собой комбинацию плёночных пассивных элементов, простых и сложных активных компонентов (в том числе в виде кристаллов), расположенных на общей подложке. Силовые микросборки - для миниатюризации электронных преобразовательных устройств (напримерIGBT модули). Совмещённые ИС - активные элементы выполнены в объёме и на поверхности полупроводникового кристалла, а пассивные нанесены в виде плёнок на предварительно изолированную поверхность того же кристалла. Полупроводниковые ИС имеют высокую надёжность «надёжности одиночного транзистора и сравнительно невысокую стоимость. Гибридные ИС имеют существенно меньшую плотность упаковки и дороже.
Приведите примеры конструкций полупроводниковых резисторов и конденсаторов и охарактеризуйте их. Резисторы Резисторы ПИМС формируются на основе слоев, полученных диффузией (диффузионные резисторы), ионным легированием или эпитаксиальным наращиванием. Каждый из названных типов резисторов имеет свои достоинства и недостатки, обладает свойственными ему электрофизическими параметрами, о которых можно подробно узнать из литературы, приведенной в списке. В даннй лекции остановимся на диффузионных резисторах, структура которых приведена на рис. 7.1, и методике их проектирования и конструирования. Рис. 7.1. Структура диффузионного резистора с использованием базового слоя (а), пинч-резистора (б) и эммитерного слоя (в)
Резисторы со структурой рис. 7.1 а имеют поверхностное сопротивление рS = 100 – 200 Ом/и могут обеспечить номинальное значение сопротивления от 100 до 30 кОм. Для получения резисторов с сопротивлением R < 100 Ом целесообразно использовать эмиттерную область (рис. 7.1 в). Резисторы с большими номинальными сопротивлениями (R > 10 кОм) занимают большую площадь кристалла, поэтому для получения резисторов с сопротивлением 10-100 кОм используется базовая область под эмиттерным переходом (рис. 7.1 б). Пинч-резисторы имеют нелинейную характеристику I (U)и большой разброс сопротивления (до 100 %). Поэтому применение их в ИМС допускается в тех случаях, когда отклонения сопротивлений существенно не влияют на работу схемы.
|