Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Резисторы





Дайте определение различным типам микросхем (полупроводниковая, гибридная, совмещенная).

Полупроводниковые (твердотельные) ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупро­водниковой подложки.

а) биполярные;

б) МОП (металл-оксид-полупроводник);

в) БИМОП (сочетание а) и б)).

Гибридные ИС (микросборки) представляют собой комбинацию плёночных пассивных элементов, простых и сложных активных компонентов (в том числе в виде кристаллов), расположенных на общей подложке.

Силовые микросборки - для миниатюризации электронных преобразо­вательных устройств (напримерIGBT модули).

Совмещённые ИС - активные элементы выполнены в объёме и на поверхности полупроводникового кристалла, а пассивные нанесены в виде плёнок на предварительно изолированную поверхность того же кристалла.

Полупроводниковые ИС имеют высокую надёжность «надёжности одиночного транзистора и сравнительно невысокую стоимость.

Гибридные ИС имеют существенно меньшую плотность упаковки и дороже.

 

Приведите примеры конструкций полупроводниковых резисторов и конденсаторов и охарактеризуйте их.

Резисторы

Резисторы ПИМС формируются на основе слоев, полученных диффузией (диффузионные резисторы), ионным легированием или эпитаксиальным наращиванием. Каждый из названных типов резисторов имеет свои достоинства и недостатки, обладает свойственными ему электрофизическими параметрами, о которых можно подробно узнать из литературы, приведенной в списке. В даннй лекции остановимся на диффузионных резисторах, структура которых приведена на рис. 7.1, и методике их проектирования и конструирования.

Рис. 7.1. Структура диффузионного резистора с использованием базового слоя (а), пинч-резистора (б) и эммитерного слоя (в)

 

Резисторы со структурой рис. 7.1 а имеют поверхностное сопротивление рS = 100 – 200 Ом/и могут обеспечить номинальное значение сопротивления от 100 до 30 кОм. Для получения резисторов с сопротивлением R < 100 Ом целесообразно использовать эмиттерную область (рис. 7.1 в). Резисторы с большими номинальными сопротивлениями (R > 10 кОм) занимают большую площадь кристалла, поэтому для получения резисторов с сопротивлением 10-100 кОм используется базовая область под эмиттерным переходом (рис. 7.1 б).

Пинч-резисторы имеют нелинейную характеристику I (U)и большой разброс сопротивления (до 100 %). Поэтому применение их в ИМС допускается в тех случаях, когда отклонения сопротивлений существенно не влияют на работу схемы.

Date: 2015-07-23; view: 594; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию