Приведите пример конструктивно-технологической реализации диодов и транзисторов Шоттки

Широкое применение находят диоды Шоттки. Это обусловлено их специфическими характеристиками, позволяющими улучшить ряд важнейших параметров. Прежде всего с помощью диодов Шоттки удается увеличить их быстродействие и снизить рассеиваемую мощность.

В диодах с барьером Шоттки отсутствует накопление зарядов, так как принцип их действия основан на свойствах контакта полупроводника с металлом. Весь прямой ток, протекающий через такой контакт, создается электронами, перемещающимися из полупроводника в металл, которые быстро приходят в равновесие с другими электронами в металле. Этим объясняется отсутствие в диодах Шоттки сколько-нибудь значительного накопления заряда, мешающего быстрому выключению перехода. Быстродействие диодов Шоттки определяется в основном временем перезаряда барьерной емкости, которая зависит от ширины области объемного заряда и не связана с накоплением заряда.

Быстродействие ключевого биполярного транзистора в значительной степени определяется длительностью процесса рассасывания заряда неосновных носителей, накопленных в базе и коллекторе при работе транзистора в режиме насыщения, когда коллекторный смещен в прямом направлении. Шунтирование коллекторного перехода диодом Шоттки позволяет сильно ослабить инжекцию неосновных носителей открытым переходом, так как диод Шоттки ограничивает напряжение открытого коллекторного p-n-перехода.

Рис. 6.1. Конструкции планарных диодов Шоттки: а — с охранным кольцом; б—с тонким окислом по периферии контакта и расширенным электродом; в — с выводами выпрямляющего и омического контактов на одну сторону подложки; 1 — металл, образующий с полупроводником п-типа барьер Шоттки; 2 — металл, образующий с полупроводником п+-типа омический контакт

Рис. 6.2. Конструкции (а, б) и принципиальная схема (в) транзисторов с диодами Шоттки с охранным кольцом (а) и с расширенным металлическим электродом (б)

22. Что такое малосигнальные параметры МДП транзистора?