Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Основные способы задания рабочей точки на входных ВАХ биполярного транзистораНа рис. 15 для задания рабочего режима входной и выходной цепей используется два источника питания На практике обычно применяется один источник питания – Eк, а режим по постоянному току входной цепи осуществляется схемным путем. На рис.18 приведены некоторые способы задания рабочей точки при включении по схеме с общим эмиттером. Разделительные конденсаторы С1, С2, СЭ выбираются с достаточно большой емкостью, их сопротивлением в рабочей области частот можно пренебречь. Простейшая схема приведена на рис. 18 а. Эта схема с фиксированным током базы, она называется также схемой со стабилизацией тока базы, т.к. при достаточно большом EК (EК>>UБЭ) IБ не меняется при изменении UБЭ вследствие изменения температуры. Параметры выбранной рабочей точки входной и выходной цепей могут изменяться при изменении температуры в результате изменения токов IЭ и IБ вследствие изменения токов IКБО (ОБ), IКЭО (ОЭ). Для оценки влияния изменения тока IКБО (IКЭО) на ток коллектора IК используют параметр Кнест – коэффициент нестабильности, определяемый как Кнест = dIК /dIКБО Простейшая схема не обеспечивает стабильности коллекторного тока при изменении температуры, коэффициент нестабильности велик: Кнест = dIК / dIКБО = 1/(1+h21Б)=b+1 Схема выбора и стабилизации рабочей точки с резистором между базой и коллектором (рис.18 б) позволяет снизить коэффициента нестабильности в [1+h21Э×(RК + RБ)] раз относительно схемы рис. 18 а: Кнест = (1 + h21Э)/(1 + h21Э(RК + RБ)). Однако данная схема приводит к появлению обратной связи по напряжению а также к снижению входного сопротивления транзистора. Для исключения этих явлений (недостатков) сопротивление RБ разбивают на две части и заземляют среднюю точку через конденсатор. Для стабилизации рабочей точки транзистора наиболее часто применяют схему с делителем напряжения на базе и резистором в цепи эмиттера, показанную на рис. 18 в. Сопротивления R1, R2 выбираются достаточно малыми, чтобы ток, проходящий через них, во много раз превышал ток базы IБ, (обычно Iд=(5 ¸10)×IБ). В этом случае потенциал базы относительно земли почти не зависит от тока базы. В цепь эмиттера включен резистор RЭ, обеспечивающий отрицательную обратную связь по постоянному току. Увеличение тока коллектора (эмиттера) вызывает уменьшение разности потенциалов UБЭ, что приводит обратно к уменьшению тока коллектора IК. Эта схема при правильном выборе параметров обеспечивает высокую стабильность рабочей точки и выходных характеристик с изменением температуры; стабильность режима при замене одного транзистора другим. Анализ схемы приводит к следующему выражению для коэффициента нестабильности: При правильно спроектированной схеме величина Rэh21э/(Rэ+R1)>>1, тогда Кнест=1+R1/Rэ. Обычно резистор R2 берут в несколько раз больше, чем входное сопротивление транзистора по переменному току.
|