Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Схема замещения транзистора для малого сигнала

⇐ ПредыдущаяСтр 77 из 104Следующая ⇒

 
 

Для малого сигнала в активном режиме транзистор рассматривается как линейный четырехполюсник. На рис.10 приведена формальная схема замещения транзистора в системе h- параметров. Эта схема отображает систему уравнений (17) и не содержит ничего сверх этого. На высоких частотах начинает сказываться инерционность транзистора, и h -параметры становятся частотно зависимыми.

Инерционность транзистора при быстрых изменениях входных токов обусловлена конечным временем пролета инжектированных носителей и заряжением емкостей p-n-переходов. Время задержки передачи сигнала от эмиттера к коллектору ta имеет следующие составляющие

ta = tэп + tпр + tкп, (18)

где tэп – время заряжения эмиттерного перехода;

tпр – время пролета базы;

tкп – время задержки в коллекторном переходе.

Последним слагаемым обычно можно пренебречь. С учетом задержки коэффициент передачи a становится зависящим от времени или частоты. Переходные характеристики обычно аппроксимируют экспоненциальными функциями:

,

где a0 – статический коэффициент передачи.

Соответственно, частотная зависимость a(jw) определяется выражением:

, (19)

где wa=1/ta – граничная частота коэффициента передачи a. На этой частоте .

 
 

Т-образную эквивалентную схему транзистора для схемы ОБ можно получить из модели Эберса-Молла, исключив генератор тока aII2 и заменив диоды их дифференциальными сопротивлениями и емкостями, учитывая дополнительно сопротивление базы. Эта схема приведена на рис. 11, где rЭ rК – дифференциальные сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов:

СЭ = СЭбар+СЭдф,

СК = СКбар,

r¢Б – распределенное омическое сопротивление базы, генератор тока управляется током IЭr протекающим по rЭ с коэффициентом a0. Таким образом, часть тока эмиттера расходуется на заряжение емкости СЭ, задержка сигнала определяется постоянной времени rЭСЭ=ta.

Параметры rЭ, СЭдф и заряд, накопленный в базе Qб, зависят от постоянной составляющей тока эмиттера IЭ0 в рабочей точке:

rЭ=jT ¤ IЭ0, СЭдф=dQб ¤ dUЭЬ= IЭ0tпр ¤ jT, Qб= IЭ0tпр (20)

Таким образом, эта эквивалентная схема учитывает два первых слагаемых в формуле (18). Сопротивления rЭ, rК, r¢Б можно рассчитать по статическим h- параметрам, измеренным в рабочей точке:

;

; .

Приведенную схему можно пересчитать на Т-образную эквивалентную схему для включения с ОЭ (рис. 12).

 
 

Здесь rЭ, r¢Б имеют те же значения, однако, коэффициент передачи становится частотно зависимым, а дифференциальное сопротивление rK*, и емкость коллектора СK* имеют другие значения:

rK*=rK /(b0+1), СK* =(b0+1)СK (21)

Эти соотношения получаются из требования эквивалентности этих двух схем. Емкость СЭ исключена из эквивалентной схемы поскольку она учтена в частотной зависимости b.

Частотную зависимость коэффициента b можно получить подставив выражение (19) в (4):

, (22),

где wb=1/tb – граничная частота коэффициента передачи b.

На этой частоте .Постоянная времени tb совпадает с временем жизни неравновесных носителей в базе t и в b+1 раз больше, чем ta:

tbºt =(b+1)ta..

Соответственно:

wb=wa ¤ (b+1).

Поскольку коэффициент b велик, усилительные способности транзистора сохраняются при частотах, значительно превышающих wb. При w>3wb в выражении (19) можно пренебречь единицей в знаменателе модуля, тогда

b(w)»b0wb/w, или wb(w)»b0wb = const

Предельной частотой коэффициента усиления тока транзистора wпр или fпр=wпр/(2p) называют частоту, при которой =1. Ее можно определить, измерив b на любой частоте f>3fb:

fпр=b0 fb = b(f) f (23)

 


⇐ Предыдущая72737475767778798081Следующая ⇒





Date: 2015-05-09; view: 694; Нарушение авторских прав


mydocx.ru - 2015-2025 year. (0.321 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию