Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Роль коллекторной емкости транзистора





 

При изменении напряжения на коллекторном переходе внешний ток IК на высоких частотах меньше, чем aIЭ или bIБ, т.к. часть тока генераторов расходуется на заряжение емкостей СК или СК*. В схеме ОБ при коротком замыкании на выходе сопротивление Б окажется соединенным параллельно с емкостью СК. Постоянную времени такой цепочки называют постоянной времени базы tб, а также постоянной времени цепи обратной связи tос:

tбºtос= r¢БСК (24)

Если положить ta= 0, эта постоянная времени будет определять предельное быстродействие транзистора. Если в цепь коллектора включено сопротивление RК, оно складывается с Б. Обычно RK>>r¢Б поэтому инерционность распределения тока в коллекторной цепи будет определяться постоянной времени RКСК. Инерционность транзистора при наличии нагрузки в схеме ОБ характеризуется эквивалентной постоянной времени taoe:

taoe=ta+ RКСК (25)

Аналогично, для схемы ОЭ вводится эквивалентная постоянная времени toe:

toe=t+ RКСК*=t+(b+1) RКСК (26)

Схема замещения на рис. 12 не раскрывает суть физических процессов, определяющих частотную зависимость b. Для расчета частотных характеристик в схеме ОЭ часто применяется физическая эквивалентная схема, приведенная на рис. 13. Ее называют также гибридной и П-образной.

 

 
 

В этой схеме генератор тока в выходной цепи управляется напряжением на эмиттерном переходе, которому соответствует некоторая условная точка Б¢ внутри транзистора. Частотно независимый параметр имеет смысл внутренней крутизны.

S¢=dIК ¤ dUБ¢Э =a0 ¤ rЭ=I0К ¤jT, (27)

где I0К – постоянная составляющая тока в рабочей точке.

Параметры Б, rК, CК, CЭ, – те же, что и ранее, остальные определяются соотношениями

rКЭ =r*К, CКЭ=C*К , rБ¢Э=rЭ (b+1) (28)

Распределенное сопротивление базы Б зависит от I0К

(29)

Частотная зависимость тока выходного генератора определяется частотной зависимостью напряжения на емкости СЭ, которая заряжается током базы с постоянной времени rБ¢Э CЭ=(b+1)rЭ CЭ=tb=t. С учетом соотношений (20), (23), (27) получаем:

(30)

 

Date: 2015-05-09; view: 672; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.004 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию