Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как противостоять манипуляциям мужчин? Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?

Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Ключевой режим работы биполярного транзистора





Ключевой режим работы характеризуется большой амплитудой переключающего импульса, когда транзистор переходит из состояния с большим внутренним сопротивлением (ключ разомкнут) в состояние с малым сопротивлением (ключ замкнут) и обратно.

Схема простейшего ключа на n-p-n-транзисторе приведена на рис.19. На рис. 20а показаны выходные статические характеристики, нагрузочная характеристика и расположение рабочих точек A и B. На рис. 20б показано расположение рабочих точек A и B на входных характеристиках.

В точке A транзистор находится в режиме отсечки, на базу подано запирающее напряжение –E-Б, напряжение на электродах практически совпадают с э.д.с. источников:

UК » EК, UБ » –E-Б

В точке B транзистор находится в режиме насыщения, на базу подано отпирающее напряжение +E+Б, токи электродов определяются внешними цепями:

I+Б » (E+Б - U*) / RБ, IКН»EК/RК


 

 

Для перевода в режим насыщения необходимо выполнить условие:

IБ+>IБН, или, что то же, B I+Б> IКН,

где IБН - ток базы, соответствующий границе режима насыщения,

B = IКН ¤ IБН - коэффициент усиления тока базы в режиме большого сигнала.

Силу этого неравенства характеризуют особым параметром – степенью насыщения S:

S = I+Б /IБН =B I+Б /IКН (37)

Статическими параметрами ключа являются остаточное напряжение UКН во включенном состоянии (точка B) и остаточный ток Iост в выключенном состоянии (точка A). В ключевых схемах транзистор находится в активном режиме лишь в переходном состоянии.

Остаточное напряжение складывается из напряжения UКЭ и падения напряжения на омическом сопротивлении коллектора rKK:

 

UКН= UКЭ + rKK××IКН

Первое слагаемое определяется формулой:

 

, (38)

где Bi – инверсный коэффициент передачи тока базы.

Быстродействие ключа характеризуется динамическими параметрами – временем включения tвкл и временем выключения tвыкл.

 






Date: 2015-05-09; view: 357; Нарушение авторских прав

mydocx.ru - 2015-2018 year. (0.005 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию