Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?

Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Ключевой режим работы биполярного транзистора





Ключевой режим работы характеризуется большой амплитудой переключающего импульса, когда транзистор переходит из состояния с большим внутренним сопротивлением (ключ разомкнут) в состояние с малым сопротивлением (ключ замкнут) и обратно.

Схема простейшего ключа на n-p-n-транзисторе приведена на рис.19. На рис. 20а показаны выходные статические характеристики, нагрузочная характеристика и расположение рабочих точек A и B. На рис. 20б показано расположение рабочих точек A и B на входных характеристиках.

В точке A транзистор находится в режиме отсечки, на базу подано запирающее напряжение –E-Б, напряжение на электродах практически совпадают с э.д.с. источников:

UК » EК, UБ » –E-Б

В точке B транзистор находится в режиме насыщения, на базу подано отпирающее напряжение +E+Б, токи электродов определяются внешними цепями:

I+Б » (E+Б - U*) / RБ, IКН»EК/RК


 

 

Для перевода в режим насыщения необходимо выполнить условие:

IБ+>IБН, или, что то же, B I+Б> IКН,

где IБН - ток базы, соответствующий границе режима насыщения,

B = IКН ¤ IБН - коэффициент усиления тока базы в режиме большого сигнала.

Силу этого неравенства характеризуют особым параметром – степенью насыщения S:

S = I+Б /IБН =B I+Б /IКН (37)

Статическими параметрами ключа являются остаточное напряжение UКН во включенном состоянии (точка B) и остаточный ток Iост в выключенном состоянии (точка A). В ключевых схемах транзистор находится в активном режиме лишь в переходном состоянии.

Остаточное напряжение складывается из напряжения UКЭ и падения напряжения на омическом сопротивлении коллектора rKK:

 

UКН= UКЭ + rKK××IКН

Первое слагаемое определяется формулой:

 

, (38)

где Bi – инверсный коэффициент передачи тока базы.

Быстродействие ключа характеризуется динамическими параметрами – временем включения tвкл и временем выключения tвыкл.

 






Date: 2015-05-09; view: 388; Нарушение авторских прав

mydocx.ru - 2015-2019 year. (0.004 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию