Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?

Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Характеристики КМДП





Характеристика прямой передачи имеют вид в соответствии с рисунком 3.25. При подаче низкого потенциала на вход, как было показано выше, на выходе будет высокий потенциал (логическая «1»). Увеличивая напряжения на входе (при достижении порогового напряжения) открываются транзисторы VT3 и VT4 и начинают закрываться транзисторы VT1 и VT2, напряжение на выходе падает до нуля. Аналогично можно и объяснить характеристику тока потребления от входного напряжения, т.е. при напряжении от 3 до 7 вольт все транзисторы «приоткрыты» и в этом случае через схему протекает ток. Это приводит к тому, что при увеличении частоты переключения средний ток, потребляемый схемой, увеличивается в соответствии с рисунком 3.26 и на высоких частотах он может сравняться с током потребления ТТЛ и ТТЛШ.

Рисунок 3.26 – Зависимость тока потребления от скорости переключения элемента КМДП

 

Параметры некоторых серий микросхем КМДП приведены в таблице 3.13. Средний ток потребления от источника питания IПОТ СР приведен в статическом режиме. Из таблицы видно, что с совершенствованием технологии растут энергетические показатели.

Таблица 3.13 – Энергетические показатели микросхем КМДП

Наименование Значение параметров для серий
параметров
UП, В 10,0 10,0 5,0 5,0
IПОТ СР, мкА 4,0 1,5 1,25 1,0
tЗ СР, нс 110,0 110,0 18,0 8,0
ЕП, пДж 4,4 1,65 0,1125 0,04

Интегральная инжекционная логика (И2Л)

Элементы интегральной инжекционной логики появились позднее и очень перспективны для интегрального исполнения. Схема базового элемента, выполняющего операцию И-НЕ, имеет вид в соответствии с рисунком 3.27.

Рисунок 3.27 – Базовый элемент И2Л

 

Принцип действия аналогичен принципу действия элемента ДТЛ. Здесь базовый ток выходного транзистора VT2 обеспечивается транзистором VT1, работающего в режиме источника тока инжектора, а обычные диоды заменены диодами Шоттки. Особенностью элементов семейства И2Л является широкое использование многоколлекторных транзисторов.

Комбинация p-n-p и n-p-n транзисторов, реализуемая с помощью специального технологического процесса, занимает на кристалле очень малую площадь.

Ток, инжектируемый транзистором VT1, может меняться в широких пределах применительно к различным потребностям. Чем больше его величина, тем меньше среднее время задержки.






Date: 2015-05-09; view: 319; Нарушение авторских прав

mydocx.ru - 2015-2019 year. (0.008 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию