Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Полевой транзистор

⇐ ПредыдущаяСтр 92 из 93Следующая ⇒

 

С ox – удельная емкость подзатворного диэлектрика

I с I D – ток стока

I з I G – ток затвора

I DS – ток канала исток-сток

R 0 – омическое сопротивление

R i – внутреннее сопротивление

S – крутизна характеристики

U зи U GS – напряжение затвор‑исток

U си U DS – напряжение исток – сток

U зс U DG – напряжение сток – затвор

U ЗИ пор U пор U GS (th) V T – пороговое напряжение

U ЗИ отс U отс U GS (off) – напряжение отсечки

V ox – падение напряжения на окисном слое

V Т - пороговое напряжение

V SS – напряжение, приложенное к подложке

m – коэффициент усиления

 

Тепловые параметры

R thja – общее тепловое сопротивление диода или транзистора

R thjc – тепловое сопротивление переход – корпус транзистора

R thca – тепловое сопротивление корпус – окружающая среда

 

КНИ K f – коэффициент нелинейных искажений

 


Приложение

Физические параметры важнейших полупроводников

Параметр Обозначение Si Ge GaAs InSb
Ширина запрещенной зоны, эВ 300 К E g 1,12 0,66 1,43 0,18
0 К 1,21 0,80 1,56 0,23
Подвижность при 300 К, см2∙В-1∙с-1 электронов μ n        
дырок μ p        
Эффективная масса электронов m dn* 1,08 0,56 0,068 0,013
дырок m dp* 0,56 0,35 0,45 0,6
Эффективная плотность состояний в зоне проводимости, см-3 N C 2,8∙1019 1,04∙1019 4,7∙1017 3,7∙1016
Эффективная плотность состояний в валентной зоне, см-3 N V 1,02∙1019 6,11∙1018 7,0∙1018 1,16∙1019
Диэлектрическая постоянная ε s 11,9 16,0 10,9 17,0
Электронное сродство χ 4,05 4,00 4,07 4,60
Собственная концентрация носителей, см-3 n i 1,6∙1010 2,5∙1013 1,1∙107 2,0∙1016
Время жизни носителей, с τ 2,5∙10-3 1,0∙10-3 1∙10-8 1∙10-8
Дебаевская длина, мкм L d   0,68    
Показатель преломления n 3,44 4,0 3,4 3,75
Температурный коэффициент α 2,4∙10-4 3,9∙10-4 4,3∙10-4 2,8∙10-4

 

Работа выхода из металлов (эВ)

Mg Al Ni Cu Ag Au Pt
3,4 4,1 4,5 4,4 4,3 4,7 5,3

 

Свойства диэлектриков

  E g, эВ ε ст ε ∞ ρ, г-1∙см-3 E пр, В/см
SiO2 9,0 3,82 2,13 2,33 1,2∙107
Si3N4 5,1 6,5 4,2 3,11 6,0∙106
Ta2O5 4,5   5,0 8,53 6,0∙106

 



⇐ Предыдущая84858687888990919293Следующая ⇒





Date: 2015-05-05; view: 395; Нарушение авторских прав


mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.005 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию