Основные обозначения

А – постоянная Ричардсона

С – электрическая емкость

C _B – барьерная емкость p-n перехода

C _D – диффузионная емкость p-n перехода

C _FB – емкость плоских зон

C _p – емкость свободных дырок

C _sc – емкость области пространственного заряда

D _{n (p)} – коэффициент диффузии электронов (дырок)

d _ox – толщина подзатворного диэлектрика МДП-структуры

E _C – энергия дна зоны проводимости

E _{D (A)} – энергия донорных (акцепторных) уровней

E _g – ширина запрещенной зоны полупроводника

E _i – энергия середины запрещенной зоны

E _s – величина электрического поля на поверхности

E _t – энергия поверхностных состояний, отсчитанная от середины запрещенной зоны

E _V – энергия потолка валентной зоны

F – энергия уровня Ферми

F _{n (p)} – квазиуровень Ферми для электронов (дырок)

F _s – величина энергии Ферми на поверхности полупроводника

f _{c (v)} – неравновесная функция распределения для электронов в зоне проводимости (в валентной зоне)

G _{n (p)} – темп генерации свободных электронов (дырок) в полупроводнике

D G – темп генерации неравновесных электронов и дырок в полупроводнике

H – оператор Гамильтона

h – постоянная Планка

ћ – постоянная Планка, деленная на 2π

I – сила тока

I _см – величина тока смещения

J – плотность электрического тока

J _p(n) – дырочная (электронная) компонента тока

J _s – плотность тока насыщения диода

J _ген – генерационный ток

J _рек – рекомбинационный ток

j _nE – дрейфовая компонента электронного тока

j _nD – диффузионная компонента электронного тока

j _pE – дрейфовая компонента дырочного тока

j _pD – диффузионная компонента дырочного тока

j _{п/п (Me)} – плотность тока термоэлектронной эмиссии с поверхности полупроводника (металла)

L _D – длина экранирования Дебая

L_p – диффузионная длина

m ₀ – масса изолированного электрона

m _{n (p)}^* – эффективная масса электрона (дырки)

N _{C (V)} – эффективная плотность состояний в зоне проводимости (в валентной зоне)

N _{D (A)} – концентрация легирующей донорной (акцепторной) примеси

N _M – плотность зарядов на металлической плоскости единичной площади

N _ss – плотность моноэнергетических состояний

N _t – концентрация рекомбинационных центров; плотность поверхностных состояний

n _n – неравновесная концентрация электронов как основных носителей в полупроводнике n -типа

n _n0 – равновесная концентрация электронов как основных носителей в полупроводнике n -типа

n _p – неравновесная концентрация электронов как неосновных носителей в полупроводнике p -типа

n _p0 – равновесная концентрация электронов как неосновных носителей в полупроводнике p -типа

D n – избыточная концентрация электронов

n _i – собственная концентрация носителей заряда

n _s – поверхностная концентрация электронов

p _n – неравновесная концентрация дырок

p _n0 – равновесная концентрация дырок

p _s – поверхностная концентрация дырок

Q – электрический заряд на единицу площади

Q _B – заряд ионизованных доноров и акцепторов в ОПЗ на единицу площади

Q _M – заряд на металлическом электроде

Q _n – заряд свободных электронов

Q _sс – заряд в области пространственного заряда

Q _ss – заряд поверхностных состояний

R – темп рекомбинации

R _н – сопротивление нагрузки

R _D – дифференциальное сопротивление диода по постоянному току

r _D – дифференциальное характеристическое сопротивление диода

S – площадь

Т – абсолютная температура

T _e – электронная температура

t – время

U – потенциальная энергия электронов; разность потенциалов

U _к – контактная разность потенциалов

V – объем кристалла

V _G – напряжение, приложенное к затвору полевого транзистора

V _FB – напряжение на затворе МДП-структуры, соответствующее нулевому значению поверхностного потенциала в полупроводнике

V _ox – напряжение, приложенное к оксиду

V _T – пороговое напряжение на затворе

W – толщина квазинейтрального объема базы диода или транзистора

υ – скорость

x, y, z – пространственные координаты

b = q/kT

Γ _{n (p)} – избыток электронов (дырок)

g – коэффициент рекомбинации

ε – относительная диэлектрическая проницаемость

e ₀ – электрическая постоянная

e_s – относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника

κ – коэффициент переноса

λ – длина свободного пробега; длина волны света

μ _{n (p)} – подвижность электронов (дырок)

ν – частота света

r – удельное сопротивление

σ – удельная электрическая проводимость

σ _n(p) – электронная (дырочная) компонента проводимости

t – время жизни неравновесных носителей

t _м – время релаксации Максвелла

τ _n – время жизни неосновных носителей в области пространственного заряда

υ – скорость

Ф – термодинамическая работа выхода

Ф _Ме – термодинамическая работа выхода из металла

Ф _n(p) – термодинамическая работа выхода в полупроводниках n (p)-типа

φ – электрический потенциал

φ ₀ – расстояние от уровня Ферми до середины запрещенной зоны в квазинейтральном объеме полупроводника

D j _ms – контактная разность потенциалов

φ _n(p) – объемное положение уровня Ферми

χ – электронное сродство полупроводника

κ – коэффициент переноса

ψ – волновая функция

ψ _s – поверхностный потенциал

ω – частота измерительного сигнала