Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов
|
|
За рубежом существуют различные системы обозначений полупроводниковых приборов [36, 38]. Наиболее распространенной является система обозначений JEDEC, принятая объединенным техническим советом по электронным приборам США. По этой системе приборы обозначаются индексом (кодом, маркировкой), в котором первая цифра соответствует числу p‑n переходов: 1 – диод, 2 – транзистор, 3 – тетрод (тиристор). За цифрой следует буква N и серийный номер, который регистрируется ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA). За номером могут стоять одна или несколько букв, указывающих на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным параметрам или характеристикам. Однако цифры серийного номера не определяют тип исходного материала, частотный диапазон, мощность рассеяния или область применения.
В Европе используется система, по которой обозначения полупроводниковым приборам присваиваются организацией Association International Pro Electron. По этой системе приборы для бытовой аппаратуры широкого применения обозначаются двумя буквами и тремя цифрами. Так, у приборов широкого применения после двух букв стоит трехзначный порядковый номер от 100 до 999. У приборов, применяемых в промышленной и специальной аппаратуре, третий знак – буква (буквы используются в обратном алфавитном порядке: Z, Y, X и т.д.), за которой следует порядковый номер от 10 до 99.
В системе Pro Electron приняты следующие условные обозначения:
Первый элемент. Первый элемент (буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Используются 4 латинские буквы A, B, C и D, в соответствии с видом полупроводника или полупроводникового соединения. В таблице 9 приведены обозначения для первого элемента:
Таблица 9. Первый элемент в системе Pro Electron
| Исходный материал | Ширина запрещенной зоны, эВ | Условные обозначения |
| Германий | 0,6…1 | A |
| Кремний | 1…1,3 | B |
| Арсенид галлия | более 1,3 | C |
| Антимонид индия | менее 1,6 | D |
Второй элемент. Второй элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов. В таблице 10 приведены буквы, используемые для обозначения подклассов.
Таблица 10. Второй элемент в системе Pro Electron
| Подкласс приборов | Условные обозначения |
| Диоды детекторные, быстродействующие, смесительные | А |
| Диоды с переменной емкостью | В |
| Транзисторы низкочастотные маломощные (R thja>15 ºC/Bт) | С |
| Транзисторы низкочастотные мощные (R thja<15 ºC/Bт) | D |
| Диоды туннельные | Е |
| Транзисторы высокочастотные маломощные (R thja>15 ºC/Bт) | F |
| Транзисторы высокочастотнае мощные (R thja<15 ºC/Bт) | L |
| Светочувствительные (фотоприемные) приборы (фотодиоды, фототранзисторы и др.) | Р |
| Излучающие приборы | Q |
| Приборы, работающие в области пробоя | R |
| Транзисторы переключающие мощные | S |
Продолжение таблицы 10
| Подкласс приборов | Условные обозначения |
| Регулирующие и переключающие приборы, мощные управляемые выпрямители (R thja<15 ºC/Bт) | Т |
| Транзисторы переключающие мощные | U |
| Диоды умножительные | X |
| Диоды выпрямительные мощные | Y |
| Стабилитроны | Z |
Третий элемент. Третий элемент (цифра или буква) обозначает в буквенно-цифровом коде полупроводниковые приборы, предназначенные для аппаратуры общегражданского применения (цифра) или для аппаратуры специального применения (буква). В качестве буквы в последнем случае используются заглавные латинские буквы, расходуемые в обратном порядке Z, Y, X и т.п.
Четвертый элемент. Четвертый элемент (2 цифры) означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 99.
Например, ВТХ10-200 – это кремниевый управляемый выпрямитель (тиристор) специального назначения с регистрационным номером 10 и напряжением 200 В.
Система стандартных обозначений, разработанная в Японии (стандарт JIS‑C‑7012, принятый ассоциацией EIAJ-Electronic Industries Association of Japan) позволяет определить класс полупроводникового прибора (диод или транзистор), его назначение, тип проводимости полупроводника. Вид полупроводникового материала в японской системе не отражается.
Условное обозначение полупроводниковых приборов по стандарту JIS‑C‑7012 состоит из пяти элементов.
Первый элемент. Первый элемент (цифра) обозначает тип полупроводникового прибора. Используются 3 цифры (0, 1, 2 и 3) в соответствии с типом прибора. В таблице 11 приведены обозначения для первого элемента.
Второй элемент. Второй элемент обозначается буквой S и указывает на то, что данный прибор является полупроводниковым. Буква S используется как начальная буква от слова Semiconductor.
Таблица 11. Первый элемент в системе JIS‑C‑7012
| Класс приборов | Условные обозначения |
| Фотодиоды, фототранзисторы | |
| Диоды | |
| Транзисторы | |
| Четырехслойные приборы |
Третий элемент. Третий элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов. В таблице 12 приведены буквы, используемые для обозначения подклассов.
Таблица 12. Третий элемент в системе JIS‑C‑7012
| Подкласс приборов | Условные обозначения | Подкласс приборов | Условные обозначения | |
| Транзисторы p-n-p высокочастотные | A | Полевые транзисторы с n-каналом | K | |
| Транзисторы p-n-p низкочастотные | B | Симметричные тиристоры | M | |
| Транзисторы n-p-n высокочастотные | C | Светоизлучающие диоды | Q | |
| Транзисторы n-p-n низкочастотные | D | Выпрямительные диоды | R | |
| Диоды Есаки | E | Малосигнальные диоды | S | |
| Тиристоры | F | Лавинные диоды | T | |
| Диоды Ганна | G | Диоды с переменной емкостью, pin -диоды | V | |
| Однопереходные транзисторы | H | Стабилитроны | Z | |
| Полевые транзисторы с p-каналом | I |
Четвертый элемент. Четвертый элемент обозначает регистрационный номер технологической разработки и начинается с числа 11.
Пятый элемент. Пятый элемент отражает модификацию разработки (А и В – первая и вторая модификация).
Система обозначений JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), принята объединенным техническим советом по электронным приборам США. По этой системе приборы обозначаются индексом (кодом, маркировкой), в котором:
Первый элемент. Первый элемент (цифра) обозначает число p‑n переходов. Используются 4 цифры (1, 2, 3 и 4) в соответствии с типом прибора:
1 – диод, 2 – транзистор, 3 – тиристор, 4 – оптопара.
Второй элемент. Второй элемент состоит из буквы N и серийного номера, который регистрируется ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA). Цифры серийного номера не определяют тип исходного материала, частотный диапазон, мощность рассеяния и область применения.
Третий элемент. Третий элемент – одна или несколько букв, указывают на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным характеристикам.
Фирма-изготовитель, приборы которой по своим параметрам подобны приборам, зарегестрированным EIA, может представлять свои приборы с обозначением, принятым по системе JEDEC.
Пример: 2N2221A, 2N904.
Date: 2015-05-05; view: 777; Нарушение авторских прав