Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Условные обозначения электрических параметров и сравнительные справочные данные полупроводниковых приборов





Для полупроводниковых приборов определены и стандартизованы значения основных электрических параметров и предельные эксплутационные характеристики, которые приводятся в справочниках. К таким параметрам относятся: напряжение (например, U пр – постоянное прямое напряжение диода), ток (например, I ст, max – максимально допустимый ток в стабилизации стабилитрона, мощность (например, P вых – выходная мощность биполярного транзистора), сопротивление (например, r диф – дифференциальное сопротивление диода), емкость (например, C к – емкость коллекторного перехода), время и частота (например, t вос, обр – время обратного восстановления тиристора, диода), температура (например, T max – максимальная температура окружающей среды). Число значений основных электрических параметров исчисляется сотнями, причем для каждого подкласса полупроводниковых приборов эти параметры будут различными.

В справочных изданиях приводятся значения основных электрических параметров и предельные эксплутационные характеристики полупроводниковых приборов. В таблицах 14 – 15 в качестве примера приведены данные для типичных представителей различных типов отечественных приборов и их зарубежных аналогов в соответствии со стандартами (ОСТ 11.336.919‑81 – Россия, JEDEC – США, Pro Electron – Европа, JIS‑C‑7012 – Япония).

Таблица 14. Биполярные транзисторы

Тип прибора Материал, структура, технологии P k max, мВт Fгр, Fh216, Fh21, Мгц U кб оп, U кэ rпр, U кэ опр, В U эб опр, В I к max, I k и max, мA I kбо, I r, мкA
КТ315И (ОСТ 11.336.919-81) Si n-p-n   ³ 250       £ 0.6 (10 В)
2N3904 (JEDEC) Si n-p-n           £10 (60 В)
BFX44 (Pro Electron) Si n-p-n ПЭ 360 ³ 300     125 (250*) £0,1 (20 B)
2SC57 (JIS-C-7012) Si n-p-n ПЭ 360 ³ 200       £0,1 (15 B)

 

Таблица 15. Диоды

Тип прибора Материал, структура, технологии U обр, В Iобр. max, мкА U пр, В I пр. max, мА I ном, мА С д, пФ
Д220Б(ОСТ 11.336.919-81) Si   0,4 1,5   30 (30В)  
1N4148 (JEDEC) Si   0,025     10 (6 В)  

Продолжение таблицы 15

Тип прибора Материал, структура, технологии U обр, В Iобр. max, мкА U пр, В I пр. max, мА I ном, мА С д, пФ
BAW63 (Pro Electron) Si     0,9   -  
1S307 (JIS-C-7012)   Ge     0,75     0,5

Date: 2015-05-05; view: 436; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.009 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию