Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Эффект смещения подложки
|
|
Рассмотрим, как меняются характеристики МДП‑транзистора при приложении напряжения между истоком и подложкой. Отметим, что приложенное напряжение между истоком и подложкой при условии наличия инверсионного канала падает на обедненную область индуцированного р‑n перехода.
В этом случае при прямом его смещении будут наблюдаться значительные токи, соответствующие прямым токам р‑n перехода. Эти токи попадут в стоковую цепь и транзистор работать не будет. Поэтому используется только напряжение подложки, соответствующее обратному смещению индуцированного и истокового р‑n перехода. По полярности это будет напряжение подложки противоположного знака по сравнению с напряжением стока. При приложении напряжения канал-подложка происходит расширение ОПЗ и увеличение заряда ионизованных акцепторов:
. (6.17)
Поскольку напряжение на затворе V GS постоянно, то постоянен и заряд на затворе МДП‑транзистора Q m. Следовательно, из уравнения электронейтральности вытекает, что если заряд акцепторов в слое обеднения Q B вырос, заряд электронов в канале Q n должен уменьшиться. С этой точки зрения подложка выступает как второй затвор МДП‑транзистора, поскольку регулирует также сопротивление инверсионного канала между истоком и стоком.
При возрастании заряда акцепторов в слое обеднения возрастет и пороговое напряжение транзистора V Т, как видно из (6.3). Изменение порогового напряжения будет равно:
. (6.18)
Поскольку смещение подложки приводит только к изменению порогового напряжения V Т, то переходные характеристики МДП‑транзистора при различных напряжениях подложки V SS смещаются параллельно друг другу. На рисунках 6.6, 6.7 показан эффект влияния смещения подложки на проходные и переходные характеристики.
Рис. 6.6. Влияние напряжения смещения канал-подложка V SS на проходные характеристики транзистора в области плавного канала V DS = 0,1 В
Рис. 6.7. Переходные характеристики МДП‑транзистора при нулевом напряжении смещения канал-подложка (сплошные линии) и при напряжении V SS = -10 В (пунктирные линии)
Date: 2015-05-05; view: 663; Нарушение авторских прав