Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?

Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Учет диффузионного тока в канале





Запишем выражение для плотности тока в канале МДП‑транзистора с учетом дрейфовой и диффузионной составляющих тока. Имеем:

. (6.39)

Величина тангенциальной составляющей электрического поля Еy, согласно определению, равна:

. (6.40)

Градиент концентрации электронов вдоль инверсионного канала обусловлен наличием разности потенциалов между областями истока и стока и, как следует из соотношения (6.37), определяется градиентом квазиуровня Ферми φc. Из (6.37) имеем:

. (6.41)

Воспользуемся соотношением Эйнштейна, связывающим подвижность электронов μn и коэффициент диффузии Dn.

.

Подставим соотношения (6.40 – 6.41) в выражение для плотности тока (6.39). Получаем:

. (6.42)

Проведя интегрирование по глубине z и ширине х инверсионного канала транзистора аналогично рассмотренному в главе 6, приходим к выражению для тока канала IDS в виде:

. (6.43)

Как следует из соотношения (6.43), полный ток канала IDS обусловлен градиентом квазиуровня Ферми вдоль инверсионного канала. Дрейфовая составляющая тока Iдр будет равна:

. (6.44)

Диффузионная составляющая тока Iдиф будет равна:

. (6.45)

Если теперь из (6.43 – 6.45) выразим доли дрейфовой и диффузионной составляющих тока в полном токе канала МДП‑транзистора, то получим соответственно:

; (6.46)

. (6.47)

Таким образом, чтобы получить выражение для вольт-амперной характеристики МДП-транзистора с учетом дрейфовой и диффузионной составляющих, необходимо:

а) найти для соотношения (6.43) зависимость заряда неравновесных электронов Qn как функцию поверхностного потенциала ψs и квазиуровня Ферми φc, т.е. Qn(ψs, φc);

б) найти связь между поверхностным потенциалом и квазиуровнем Ферми ψs = ψs(φc);

в) найти зависимость поверхностного потенциала ψs от напряжений на затворе VGS и стоке VDS.






Date: 2015-05-05; view: 171; Нарушение авторских прав

mydocx.ru - 2015-2019 year. (0.009 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию