![]() Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
![]() Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
![]() |
Учет диффузионного тока в канале
Запишем выражение для плотности тока в канале МДП‑транзистора с учетом дрейфовой и диффузионной составляющих тока. Имеем:
Величина тангенциальной составляющей электрического поля Е y, согласно определению, равна:
Градиент концентрации электронов
Воспользуемся соотношением Эйнштейна, связывающим подвижность электронов μ n и коэффициент диффузии D n.
Подставим соотношения (6.40 – 6.41) в выражение для плотности тока (6.39). Получаем:
Проведя интегрирование по глубине z и ширине х инверсионного канала транзистора аналогично рассмотренному в главе 6, приходим к выражению для тока канала I DS в виде:
Как следует из соотношения (6.43), полный ток канала I DS обусловлен градиентом квазиуровня Ферми вдоль инверсионного канала. Дрейфовая составляющая тока I др будет равна:
Диффузионная составляющая тока I диф будет равна:
Если теперь из (6.43 – 6.45) выразим доли дрейфовой и диффузионной составляющих тока в полном токе канала МДП‑транзистора, то получим соответственно:
Таким образом, чтобы получить выражение для вольт-амперной характеристики МДП-транзистора с учетом дрейфовой и диффузионной составляющих, необходимо: а) найти для соотношения (6.43) зависимость заряда неравновесных электронов Q n как функцию поверхностного потенциала ψ s и квазиуровня Ферми φ c, т.е. Q n(ψ s, φ c); б) найти связь между поверхностным потенциалом и квазиуровнем Ферми ψ s = ψ s(φ c); в) найти зависимость поверхностного потенциала ψ s от напряжений на затворе V GS и стоке V DS. Date: 2015-05-05; view: 530; Нарушение авторских прав |