Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Система z-параметров





Зададим в качестве входных параметров биполярного транзистора как четырехполюсника токи I 1 и I 2, а напряжения U 1 и U 2 будем определять как функции этих токов. Тогда связь напряжений и токов в линейном приближении будет иметь вид:

;

.

Коэффициенты z ik в этих уравнениях определяются следующим образом:

и – определяются как входное и выходное сопротивления.

и – сопротивления обратной и прямой передач.

Измерения z ‑параметров осуществляются в режиме холостого хода на входе (I 1 = 0) и выходе (I 2 = 0). Реализовать режим разомкнутого входа I 1 = 0 для биполярного транзистора достаточно просто (сопротивление эмиттерного перехода составляет всего десятки Ом и поэтому размыкающее сопротивление в цепи эмиттера в несколько кОм уже позволяет считать I 1 = 0). Реализовать режим разомкнутого выхода I 2 = 0 для биполярного транзистора сложно (сопротивление коллекторного перехода равняется десяткам МОм и размыкающее сопротивление в цепи коллектора в силу этого должно быть порядка ГОм).

 

Система y‑параметров

Зададим в качестве входных параметров биполярного транзистора как четырехполюсника напряжения U 1 и U 2, а токи I 1 и I 2 будем определять как функции этих напряжений. Тогда связь токов и напряжений в линейном приближении будет иметь вид:

;

.

Коэффициенты в уравнениях имеют размерность проводимости и определяются следующим образом:

и – входная и выходная проводимости.

и – проводимости обратной и прямой передач.

Измерение y ‑параметров происходит в режиме короткого замыкания на входе (U 1 = 0) и выходе (U 2 = 0). Реализовать режим короткого замыкания на входе (U 1 = 0) для биполярного транзистора достаточно сложно (сопротивление эмиттерного перехода составляет всего десятки Ом и поэтому замыкающее сопротивление в цепи эмиттера должно составлять доли Ома, что достаточно сложно). Реализовать режим короткого замыкания на выходе U 2 = 0 для биполярного транзистора просто (сопротивление коллекторного перехода равняется десяткам МОм и замыкающие сопротивления в цепи коллектора могут быть даже сотни Ом).

 

Система h‑параметров

Система h ‑параметров используется как комбинированная система из двух предыдущих, причем из соображений удобства измерения параметров биполярного транзистора выбирается режим короткого замыкания на выходе (U 2 = 0) и режим холостого хода на входе (I 1 = 0). Поэтому для системы h ‑параметров в качестве входных параметров задаются ток I 1 и напряжение U 2, а в качестве выходных параметров рассчитываются ток I 2 и напряжение U 1, при этом система, описывающая связь входных I 1, U 2 и выходных I 2, U1 параметров, выглядит следующим образом:

;

.

Значения коэффициентов в уравнении для h -параметров имеют следующий вид:

– входное сопротивление при коротком замыкании на выходе;

– выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи;

– коэффициент обратной связи при холостом ходе во входной цепи;

– коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе.

Эквивалентная схема четырехполюсника с h ‑параметрами приведена на рисунке 5.24а, б. Из этой схемы легко увидеть, что режим короткого замыкания на выходе или холостого хода на входе позволяет измерить тот или иной h ‑параметр.

Рис. 5.24. Эквивалентная схема четырехполюсника:

а) биполярный транзистор в схеме с общей базой; б) биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером

Рассмотрим связь h ‑параметров биполярного транзистора в схеме с общей базой с дифференциальными параметрами. Для этого воспользуемся эквивалентной схемой биполярного транзистора на низких частотах, показанной на рисунке 5.24а, а также выражениями для вольт‑амперных характеристик транзистора в активном режиме. Получаем:

;

;

;

.

Для биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (рис. 5.24б) выражения, описывающие связь h ‑параметров с дифференциальными параметрами, будут иметь следующий вид:

;

;

;

.

Для различных схем включения биполярного транзистора (схема с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором) h ‑параметры связаны друг с другом. В таблице 2 приведены эти связи, позволяющие рассчитывать h ‑параметры для схемы включения с общей базой, если известны эти параметры для схемы с общим эмиттером.

 

Таблица 2. Связи между h‑параметрами

h 11б
h 12б
h 2
h 22б

 

 

Дифференциальные параметры биполярных транзисторов зависят от режимов их работы. Для схемы с общим эмиттером наибольшее влияние испытывает коэффициент усиления эмиттерного тока h 21э в зависимости от тока эмиттера. На рисунке 5.25 приведена эта зависимость для транзисторов КТ215 различных типономиналов. В области малых токов (микромощный режим) коэффициент усиления уменьшается вследствие влияния рекомбинационной компоненты в эмиттерном переходе, а в области больших токов (режим высокого уровня инжекции) – коэффициент усиления уменьшается вследствие уменьшения коэффициента диффузии.

Рис. 5.25. Зависимость коэффициента h 21э для различных транзисторов марки КТ215Д от эмиттерного тока I э [24, 29]

Date: 2015-05-05; view: 1077; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию