Главная
Случайная страница
Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Порядок выполнения экспериментов
- Соберите цепь согласно схеме (рис. 2.6.1, 2.6.2). Потенциометр 1 кОм используется для регулирования тока базы, резисторы 100 и 47 кОм – для ограничения максимального тока базы. Регулирование напряжения U КЭ осуществляется регулятором источника постоянного напряжения. Для предотвращения подачи обратного напряжения на транзистор в цепь коллектора включён диод. Переход эмиттер база также защищён шунтирующим диодом. Измерение тока базы I Б и напряжения U БЭ производятся мультиметрами на пределах 200 μА и 2 В соответственно, Пределы измерения тока коллектора I К и напряжения U КЭ изменяются в ходе работы по мере необходимости. При сборке схемы предусмотрите перемычки для переключения амперметра из одной ветви в другую.
- Установите первое значение тока базы 20 μА, переключите миллиамперметр в цепь коллектора и, изменяя напряжение U КЭ согласно значениям, указанным в табл. 2.6.1, снимите зависимости I К (U КЭ) и U БЭ (U КЭ). Повторите эти измерения при каждом значении I Б, указанном в таблице.
Примечание: характеристики транзистора изменяются в ходе работы из-за его нагрева. Поэтому для большей определенности рекомендуется установить нужные значения IБЭ и UКЭ, выключить на 30 с блок генераторов напряжений, затем включить его и быстро записать показания приборов V1 и A2.
Рис. 2.6.1
Рис. 2.6.2
Таблица 2.6.1
U КЭ,
В
| I Б = 20 μА
| I Б = 40 μА
| I Б = 60 μА
| I Б = 80 μА
| I К, мА
| U БЭ, В
| I К, мА
| U БЭ, В
| I К, мА
| U БЭ, В
| I К, мА
| U БЭ, В
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 0,5
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| - На рис. 2.6.3 постройте графики семейства выходных характеристик I К (U КЭ) и семейство характеристик обратной связи U БЭ (U КЭ), не забыв указать какому току базы соответствует каждая кривая.
- Установите U КЭ = 0 и изменяя ток базы в соответствии со значениями, указанными в табл. 5.3.2, снимите зависимость U БЭ (I Б), Увеличьте напряжение U КЭ до 5 В и снова снимите зависимость U БЭ (I Б), а также и I К (I Б). Повторите этот опыт также при U КЭ = 15 В. (При проведении этих измерений также учитывайте примечание к предыдущему опыту).
- На рис. 5.3.3 постройте графики входных I Б (U БЭ) и регулировочных I К (I Б) характеристик, указав для каждой кривой соответствующие значения U КЭ.
Таблица 2.6.2
I Б,
μА
| U КЭ = 0 В
| U КЭ = 5 В
| U КЭ = 15 В
| U БЭ, В
| I К, мА
| U БЭ, В
| I К, мА
| U БЭ, В
| I К, мА
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 5.3.3
Контрольные вопросы
- Что такое область отсечки, область активного усиления и область насыщения на семействе выходных характеристик транзистора?
- Какое явление в транзисторе отражает характеристика обратной связи?
- Как можно построить характеристику управления по семейству выходных характеристик?
Date: 2015-09-20; view: 414; Нарушение авторских прав Понравилась страница? Лайкни для друзей: |
|
|