Общие сведения. Транзистор (рис. 2.5.1) представляет собой полупроводниковый триод, у которого тонкий р-проводящий слой помещен между двумя n-проводящими слоями

Транзистор (рис. 2.5.1) представляет собой полупроводниковый триод, у которого тонкий р -проводящий слой помещен между двумя n -проводящими слоями (n-p-n транзистор) или n -проводящий слой помещен между двумя р -проводящими слоями (p-n-p транзистор).

Рис. 2.5.1

В транзисторе p-n-p типа (рис. 5.2.1а) ток от эмиттера к коллектору через базу обусловлен неосновными для базы носителями заряда – дырками. При положительном направлении напряжения U _ЭБ эмиттерный p-n переход открывается, и дырки из эмиттера проникают (инжектируются) в область базы. Часть из них уходит к источнику напряжения U _ЭБ, а другая часть достигает коллектора. Возникает так называемый транзитный тока от эмиттера к коллектору. Он резко возрастает с увеличением U _ЭБ и тока базы.

В транзисторе n-p-n типа (рис. 5.2.1б) транзитный ток через базу обусловлен также неосновными для нее носителями заряда – электронами. Они инжектируются из эмиттера, если к эмиттерному p-n переходу прикладывается напряжение U _БЭ.

Токи эмиттера, коллектора и базы связаны между собой уравнением первого закона Кирхгофа:

I _К = I _Э – I _Б.

Ток базы существенно меньше I _К и I _Э, но от него сильно зависит как I _К, так и I _Э. Отношение приращения тока коллектора к приращению тока базы называется коэффициентом усиления по току:

b = DI _К ¤ DI _Б.

Он может иметь значения от нескольких десятков до нескольких сотен. Поэтому с помощью сравнительно малого тока базы можно регулировать относительно большие токи коллектора (и эмиттера).