Общие сведения. Структура и условное обозначение полевых транзисторов с р-n переходом и каналами типа n и типа р показана на рис

Структура и условное обозначение полевых транзисторов с р-n переходом и каналами типа n и типа р показана на рис. 2.8.1а и б. На рис. 2.8.1в показан примерный вид выходных характеристик I _С(U _СИ) и стоко-затворная характеристика I _С(U _ЗИ) транзистора с каналом типа n. Три вывода транзистора обозначаются: И – исток, С – сток, З – затвор.

Рис. 2.8.1

Когда напряжение U _ЗИ равно нулю, а между стоком и истоком приложено постоянное напряжение U _СИ = U ₀, по каналу протекает начальный ток стока I _С = I _нач, который обеспечивается свободными электронами, имеющимися в канале типа n. Если же между затвором и истоком приложено управляющее отрицательное напряжение, то вблизи затвора увеличивается объёмный положительный заряд, количество свободных электронов уменьшается, сопротивление канала возрастает, и ток стока уменьшается. При U _ЗИ = U _отс (напряжение отсечки) канал полностью перекрывается и ток прекращается.

При постоянном напряжении U _ЗИ и увеличении напряжения U _СИ от нуля ток стока сначала возрастает по линейному закону, но при этом возрастает и напряжение U _СЗ, что приводит к сужению канала проводимости в области, прилегающей к стоку. Когда это напряжение достигает значения U _отс, наклон характеристики I _С(U _СИ) резко уменьшается, и она становится почти горизонтальной. Эта область семейства выходных характеристик называется зоной насыщения. Именно в ней обеспечивается линейное усиление сигналов.

Важной характеристикой транзистора является крутизна стоко-затворной характеристики в области насыщения:

S = DI _C/ DU _ЗИ.

Все эти обозначения и рассуждения применимы также к транзистору с каналом типа р ( рис. 2.8.1б), с той лишь разницей, что полярность напряжений U _СИ и U _ЗИ должно быть противоположными.