В содружестве с заводом

Смолкин Владислав Борисович:

1963 - 1987г.г. - инженер, руководитель группы, начальник отдела ОКБ при НЗЛК;

1987 -1993г.г. - главный инженер ОКБ;

1993-2006г.г.- зам. начальника технического отдела, зам. директора по маркетингу, коммерческий директор в ОАО «Планета»;

с 2007г. – по настоящее время – зам. начальника отдела в ОАО «ОКБ-Планета».

Наверное, моё профессиональное будущее определилось с выбором вуза – не до конца осознанные юношеские предпочтения, связанные с радиотехникой, привели меня в ЛЭТИ. Поступил я туда в 1958 году, когда в Новгороде уже разворачивалось строительство полупроводникового завода. Правда, об этом мне тогда ничего не было известно, хотя жили мы буквально по соседству. Уже в годы учёбы, во время приездов на каникулы, часто наблюдал поток людей, устремлённых на предприятие.

Годы учёбы пролетели быстро, пришло время выбирать место будущей работы. Происходило это на последнем курсе. Наша группа в институте состояла в основном из ленинградцев. Иногородние студенты получили распределение в основном по месту своего жительства (Минск, Пермь), несколько человек – во Фрязино, в НИИ «Исток». Предложили и мне сделать свой выбор. Я тоже относился к иногородним – жил в Новгороде, здесь были мои корни: родители, другие родственники. Знал я и то, что там тоже есть несколько предприятий радиоэлектронной промышленности. Зачем мне предложения по Ленинграду и, вообще, зачем куда-то ещё ехать? Вопрос в том, какой завод в Новгороде выбрать.

Обсудили эту проблему на семейном совете. Отец предложил поговорить со своим знакомым, весьма знающим человеком – директором Новгородского филиала НИИ радиокомпонентов Владимиром Григорьевичем Шабровым. Это был тот самый Шабров, который ранее работал директором хорошо известного в городе предприятия п/я 11, ставшего позднее «Волной». Микрорайон города, называемый в народе «Шабровкой» получил название по его фамилии. Пришли мы к Шаброву, поговорили о возможной работе в его нынешней фирме – трансформаторы, оборудование для их производства – по большей части всё связано с металлом. В итоге, Владимир Григорьевич предположил, что здесь мне, как молодому специалисту-электронщику, вряд ли будет интересно. Лучше пойти на полупроводниковый завод. К такому же выводу подталкивала меня и собственная информация: ещё в деканате я узнал, что там уже работают выпускники нашего факультета: В.В.Павлов – главным технологом завода, а Р.К.Соколова – инженером в ОКБ.

Приближалась преддипломная практика, желательно было проходить её по месту будущей работы. Стало быть, нужно было принимать решение. Я отправился на Новгородский завод полупроводниковых триодов. Там меня переадресовали в ОКБ. В июне 1963 года началась преддипломная практика, затем – работа над дипломом. Руководителем моим был Юрий Васильевич Коровин, глубоко знающий и понимающий физику полупроводников. Считаю, что мне очень повезло – я многому научился у своего руководителя.

Диплом я написал и защитил его в декабре 1963 года и уже через два дня был оформлен на работу в ОКБ инженером с окладом 100 рублей в месяц.

Надо сказать, что хотя завод уже четыре года выпускал сплавные транзисторы, технология производства ещё не была достаточно отработана: не обеспечивалась стабильность их параметров, низким оставался процент выхода годных. И у ОКБ, которое занималось решением всех этих проблем, было широкое поле деятельности. В общем, я не очень опоздал к началу – на мою долю осталось необъятное количество неразрешённых технологических и прочих проблем. Фактически поначалу я продолжил исследования, начатые на этапе работы над дипломом - изучение влияния влаги на электрические параметры сплавных германиевых транзисторов. Пришлось идти обычным для исследователей-экспериментаторов путём: определение целей, критериев оценки, создание методик, подбор или изготовление оборудования, зачастую с использованием различных подручных средств. Попутно мы поневоле становились слесарями, электриками, химиками и ещё, бог знает, какими специалистами. Случались неожиданные или вынужденные находки, которые со временем перерастали в рационализаторские предложения. По мере накопления опыта появились и изобретения, приносящие немалый экономический эффект, подтверждающие, что мы чего-то стоим, как специалисты.

Но, вернёмся к влаге, как фактору, влияющему на параметры транзисторов. Довольно скоро выяснилось, что фактор это – безусловно, отрицательный, и наши дальнейшие усилия были направлены на поиски способов осушения среды, в которой герметизируется транзистор. Пришлось создавать соответствующую экспериментальную базу, что-то придумывать. Устройство для сушки поверхности транзистора у нас выглядело так: в обычную медицинскую пробирку засыпались гранулы предварительно отожжённого для удаления влаги из пор осушителя - синтетического цеолита, пробирка герметизировалась пробкой, в которую вставлялся транзистор (без колпака), выводы транзистора выходили наружу. Таким образом, рабочая часть прибора оказывалась помещённой в среду осушенного воздуха. Влияние осушенного воздуха мы могли оценивать, измеряя электрические параметры испытуемого транзистора. Результатами работ была доказана необходимость герметизации транзисторов в среде осушенного воздуха. Задача была решена путём разработки и последующего внедрения в серийном производстве на заводе линий микроклимата. Их основу составляли специальные изолирующие устройства для герметизации транзисторов – скафандры, в которые подавался осушенный воздух. Это была одна из первых разработок конструкторского отдела ОКБ (разработчик Г.А.Мамаев). Внедрение линий микроклимата позволило на том этапе развития технологии производства достичь определённой стабилизации параметров транзисторов. А упомянутые пробирки ещё многие годы использовались при проведении анализов отказов и браков как в ОКБ, так и на заводе.

В 1964-65 годах на завод поступило закупленное в Японии технологическое оборудование. Часть его, включая несколько установок для измерения ряда электрофизических параметров полупроводниковых материалов, была передана в ОКБ. В наше бюро физических исследований попали небольшой электронный микроскоп и гелиевый течеискатель – аппарат для проверки герметичности любых изделий, имеющих замкнутый объём (в том числе и транзисторов). Суть операции заключалась в том, что приборы выдерживались под большим давлением в гелии, а затем измерялось количество этого газа, вытекающего из течей в испытуемом корпусе. Но, то ли японцы были очень хитрыми, то ли те, кто закупал оборудование, не понимали, какая должна прикладываться оснастка и приспособления ко всем этим аппаратам, чтобы они работали. В итоге, у электронного микроскопа недоставало держателя образцов, где бы размещался исследуемый предмет. Пришлось мне изучать электронные микроскопы в НИИПЭ (впоследствии НИИ «Пульсар»), г. Москва и в НИИТТ, г. Зеленоград. Но там они были других моделей, соответственно, и держатели оказались иной конструкции. Значит, опять надо что-то придумывать самим. А искомая деталь оказалась достаточно сложной, прецизионной – она должна вакуумноплотно вставляться в микроскоп. В итоге проектировать будущий держатель пришлось самому. Когда он был изготовлен, мы получили возможность при многократном увеличении рассматривать образцы в ходе проведения анализа отказов транзисторов.

Подобная история была и с гелиевым течеискателем. Нам удалось добиться необходимого уровня вакуума, настроить анализатор гелия, но проверять герметичность транзисторов возможности не было – отсутствовала ёмкость для выдержки испытуемых образцов в этом газе под давлением. Рисую эскиз, как должно выглядеть это устройство. Наши конструкторы разработали чертежи, по ним изготовили ёмкость, получившую название «гелиевая бомба». После этого появилась возможность проверять транзисторы на герметичность на гелиевом течеискателе не только при анализе отказов, но и в ходе периодических испытаний. Что и делалось в ОКБ на протяжении многих лет.

В эти же годы мы в лаборатории решали насущную для производства задачу – увеличение процента выхода годных по дефицитной высоковольтной группе транзисторов П25-П26. Конкретно – приборов, способных работать при напряжении до 100 вольт. Нашли мы путь решения этой задачи - нужно было вытравливать на контролируемую глубину канавки вокруг эмиттерного и коллекторного переходов, тем самым уменьшая толщину активной области кристалла (базы). Для этого разработали технологию электролитического травления взамен плохо управляемого, химического, спроектировали технологическую оснастку для этого процесса, нашли оптимальные его режимы. Конструкторами ОКБ была разработана механизированная линия электролитического травления и промывки p-n переходов. Процесс был внедрён на заводе, в результате процент выхода годных высоковольтных транзисторов стал более управляемым и повысился в номенклатурном распределении в 2 раза.

В последующие годы в связи с повышением требований основного заказчика – Министерства обороны, к качеству и надёжности выпускаемых заводом транзисторов с новой остротой встал вопрос стабилизации параметров этих изделий. Потребовалось очередное наступление на главного врага - влагу внутри корпуса прибора. Нужно было найти способ её связывания, поглощения.

В 1965-1966 годах в ОКБ были поставлены работы по разработке технологии введения влагопоглотителя в корпус транзистора. Работы велись совместно с сотрудниками НИИПЭ. После долгих поисков в качестве влагопоглотителя был выбран синтетический цеолит, поры которого способны поглощать молекулы воды. Долго и мучительно придумывали способы его помещения внутрь транзистора. Пробовались различные наполнители – вазелин, циатим, однако при герметизации эти смазки вытекали, в результате нарушалась герметичность транзисторов. После долгих проб и ошибок была разработана технология нанесения цеолита в виде порошка, замешанного в лак-компаунд. Эта смесь в виде плёнки наносилась на дно колпака транзистора, проводилась температурная обработка, затем транзистор герметизировался. В результате была достигнута приемлемая стабильность параметров транзисторов в процессе их эксплуатации в аппаратуре. Эту технологию применяли на заводе многие годы, и не только на сплавных, но и на планарных транзисторах.

В большинстве своём все работы того периода проводились при активном участии заводских технологов. Могу назвать В.С. Несмеянову, Г.Г. Николаенко, А.К. Шенягину. Одновременно приношу извинения тем, чьи имена не назвал, но с кем успешно сотрудничал – всем я искренно благодарен за помощь и содействие.

По мере накопления опыта круг задач, решаемых ОКБ, расширялся и усложнялся. Тем временем в стране широким фронтом разворачивались разработки, связанные с освоением производства кремниевых планарных транзисторов. В 1967 году главный инженер ОКБ В.И.Разживин поручил мне ознакомиться с этой технологией в СКТБ объединения «Светлана». Поручение было выполнено, результатом стал список оборудования, необходимого для освоения этой технологии. Правда, конкретных планов по разработке или освоению производства этих приборов у нас на тот момент не было.

В этом же году произошло другое событие, определившее новое направление работ для ОКБ и завода на много лет вперёд. Начальник ОКБ Евгений Александрович Маторный, будучи в Москве, в НИИПЭ, встретился со своим старым знакомым по совместной работе на «Светлане», патриархом транзисторостроения А.В. Красиловым. Александр Викторович в то время был начальником отдела №3 этого института. В ходе встречи они обсудили возможность постановки совместных разработок. В результате родилось предложение подключиться к работам по созданию германиевого транзистора для переключателя телевизионных программ. Как раз тогда страна переводила производство телевизионных приёмников с ламповой модели на полупроводниковую, что помимо ряда чисто технических преимуществ предполагало и значительное снижение потребления электроэнергии.

К тому времени зарубежные фирмы уже производили германиевые транзисторы для применения в переключателях телевизионных каналов, требовалось разработать аналог этих транзисторов (AF139). Разработчики НИИПЭ завершили НИР (научный руководитель Валентин Николаевич Данилин), и с декабря 1967 года мы начали совместную ОКР (шифр «Патриот-1»). Я был назначен главным конструктором этой работы. Транзистор получил обозначение ГТ328. Технология была более «продвинутой» по сравнению с зарубежной. Осваиваемая нами технология на германии была планарной (в отличие от сплавной технологии активные структуры транзисторов в этом случае создаются групповым способом на пластине германия). И хотя основы этой технологии специалистам в общих чертах были известны, возникло немало частных, далеко не простых технических проблем. Например, получение хорошего электрического контакта к коллекторной области транзистора. Пришлось разработать технологию так называемых «обратных» эпитаксиальных слоёв - напыления в вакууме слоя германия с низким удельным сопротивлением. Технология была малопроизводительной - процесс напыления германия на одну пластину длился около 1-1,5 часов. Позднее в соответствии с нашими заказами и рекомендациями некоторые заводы, выпускающие германий, разработали более прогрессивные технологии и стали решать эти проблемы на стадии производства эпитаксиальных структур. Более успешными были сотрудники ВНИИМЭТ, г. Калуга, которые обеспечили их серийное изготовление сначала на пластинах диаметром 17-30 мм, а позднее и 40 мм.

Освоение планарной технологии в ОКБ потребовало коренной перестройки помещений, перестановки имеющегося, и монтажа вновь закупаемого технологического оборудования. Проводилась эта реконструкция под руководством начальника опытного цеха В.В.Ерёменко, энергетика О.В.Федоровского, специалистов, возглавляющих ремонтную службу, А.М. Яшина и В.Г.Фирсова. В это время мне приходилось посещать заводы МЭП, которые производили для нас технологическое оборудование, участвовать в комиссиях по приёмке его. Из Калининграда мы получали вакуумные устройства, из Риги – зондовые установки, сборочное оборудование, Воронеж поставлял скафандры с защитной средой и т.д. Некоторые единицы оборудования для изготовления фотошаблонов передал нам НИИПЭ, дополнено оно было поставками из КБТМ (г. Минск), а позднее фотоштампами из ГДР. В составе «команды» разработчиков самой конструкции прибора, технологии изготовления, образцов необходимого оборудования - были наши работники: В.К.Фадеев, И.А. Громова, Ю.В. Кузьмин, Н.В. Кузьмина, З.С. Осаулец, Ф.П.Ковбасюк, В.А.Уханов, В.Н. Шамакова, Г.В. Вихров, А.В. Холкин, А.Ф. Бабурин, А.А.Комаров, З.М. Лерман. Производство транзисторов ГТ328 осваивалось на НЗЛК с 1969 года. Ещё до окончания ОКР заводские инженеры и рабочие проходили в ОКБ обучение новым профессиям, осваивая процессы планарной технологии и сборки новых транзисторов. Среди них будущие руководители цехов, ведущие технологи завода Т.С. Степанова, Г.П. Сорокин, А.И. Александров, Е.Н. Карпуничева и многие другие.

Производство полупроводниковых телевизоров в стране росло, в каждом приёмнике применялось от 2 до 4-х транзисторов ГТ328. Естественно, требовалось расширение производства и этих приборов. Министерство поставило задачу освоения их на заводе «Транзистор» в Минске. В течение нескольких месяцев мы бригадами выезжали туда и оказывали минчанам помощь в освоении транзисторов. Но они и сами были на высоте, работами с их стороны руководил лично главный инженер завода. Все наши требования исполнялись чётко. Как всегда, не обошлось и без некоторых казусов. Так, мы передали Минску всю документацию для организации производства транзисторов, в том числе чертежи на оснастку и приспособления. В процессе освоения минчане по нашим чертежам изготовили подколпачное устройство для стандартной установки вакуумного напыления. Всё сделали, смонтировали, откачали вакуум, подали напряжение на нагреватель подложек. И вдруг мы увидели, что стойки крепления нагревателя начали менять цвет – разогрелись почти добела. Всеобщее волнение, тревога, в чём дело! Оказалось, что стойки изготовлены из нержавеющей стали вместо меди. Естественно, имея большое сопротивление, они так себя и повели. Кто перепутал материал, неизвестно, но всё было оперативно исправлено.

Транзистор ГТ328 был освоен в Минске, и в последующие годы производство этого прибора было нами полностью передано на завод «Транзистор».

Телевидение в стране динамично развивалось, росла потребность в дополнительных телевизионных каналах. В этих целях для телевизионного вещания был выделен диапазон более высоких частот - дециметровый. Соответственно, появилась необходимость разработки транзистора для дециметрового, а впоследствии и всеволнового, селектора ТВ каналов. На основе НИР, проведённой в НИИПЭ, у нас была поставлена в 1969-1970 гг. опытно-конструкторская работа под шифром «Путник-1», (главный конструктор В.Б.Смолкин). Этот транзистор получил обозначение ГТ346. В ходе работы решался ряд серьёзных задач в свете будущей организации крупносерийного производства данных приборов. Одной из них было уменьшение конструктивной электрической ёмкости корпуса транзистора. Для достижения этого на основе стандартного ТО18 была разработана новая его конструкция. Рождалась она в домашних условиях, на небольшой наковальне из набора слесарных инструментов. Сначала я расплющил один из выводов ножки ТО18 и изогнул его так, чтобы на него можно было поместить кристалл транзистора. Это и был прообраз корпуса для транзистора ГТ346, которым достигалось уменьшение конструктивной ёмкости ножки. Позднее силами конструкторского бюро ОКБ был разработан и внедрён автомат для приварки держателя кристалла к выводу ножки. Производство такого корпуса было освоено на заводе «Марс» в г. Торжке, который входил в ПО «Планета». К сожалению, тогда мы не осознавали, что на конструкцию модернизированной ножки вполне можно было подать заявку на изобретение.

Серьёзной проблемой при разработке планарной технологии на германии была плохая управляемость процессом получения эмиттерного перехода. При незначительном превышении температуры вплавления алюминия, необходимого для образования перехода, этот материал растекался под плёнкой двуокиси кремния, в результате получалось короткое замыкание перехода эмиттер-база. Мы долго изучали эту проблему, приглашали профессора, специалиста по кристаллографии из Новгородского педагогического института, но решения не находилось. В зарубежной литературе были намёки на необходимость выбора кристаллографической ориентации исходной полупроводниковой пластины. Путём ряда экспериментов нам удалось установить оптимальный угол разориентации пластины - 4 градуса относительно обычной плоскости кристаллографической ориентации. Активное участие в решении этой проблемы принимали ведущий инженер Виктор Фадеев и инженер-рентгенолог Виктор Ильинский. Мы получили на данный способ авторское свидетельство на изобретение.

Не менее важными были и задачи по увеличению производительности на некоторых технологических операциях по изготовлению упомянутых транзисторов. Так, при напылении металлов в вакууме использовался нагреватель, изготовленный из молибденовой пластинки, изогнутой в виде «лодочки». Эта конструкция позволяла проводить напыление металлов за один процесс только на две пластины – больше не могло разместиться на нагревателе. Решение мы нашли совместно с конструкторами ОКБ (разработчики Г.В.Вихров, И.В.Васильев) - разработали новую конструкцию нагревателя. Она предусматривала одновременное размещение от 25 до 40 пластин диаметром 25мм на держателе из того же молибдена, представлявшим из себя часть цилиндрической поверхности с рёбрами. Кроме многократного увеличения производительности за счет этой конструкции повышалась и равномерность получаемых металлических плёнок по толщине от пластины к пластине. Конструкция нагревателя была защищена авторским свидетельством на изобретение. Использовались такие нагреватели на НЗЛК и в Минске - на заводе «Транзистор» на протяжении многих лет.

В конечном итоге, транзистор ГТ346 был успешно освоен на НЗЛК. Однако, основной производитель селекторов каналов - Каунасский радиозавод к этому времени разработал своё изделие на транзисторах фирмы Telefunken. Его представители долго упирались, не хотели применять наш транзистор, приводились различные доводы в защиту немецкого прибора. Мы ездили к ним неоднократно и, наконец, совместно с ведущими специалистами НИИ «Пульсар» и московского НИИ телевидения доказали пригодность наших транзисторов для селекторов ТВ. Впоследствии мы узнали, что Каунасский радиозавод ранее был филиалом фирмы Telefunken, чем возможно и объяснялись пристрастия наших оппонентов.

По мере увеличения плановых заданий по выпуску транзисторов ГТ346 завод ставил перед нами новые задачи по повышению качества и производительности труда на сборочных операциях. Откликаясь на них, мы разработали специальную топологию контактных площадок на кристалле, которая позволила увеличить диаметр присоединяемых проволок без ухудшения электрических параметров транзисторов. В свою очередь, это сделало возможным применение в серийном производстве стандартного оборудования для присоединения выводов. На эту конструкцию кристалла получено авторское свидетельство на изобретение (авторы В.Л.Романов, В.Б.Смолкин). Работницы на операции присоединения выводов поначалу в смену могли собирать 150-200 шт. транзисторов. Постепенно выработка достигла 1000 шт. в смену, чему в немалой степени помогло и данное изобретение.

Транзистор ГТ 346 выпускался на заводе более 25 лет, за это время было произведено около 300 миллионов штук. Каждый телевизор, выпускаемый в стране, содержал от 4-х до 8-ми транзисторов этого типа. Организация крупного производства этих транзисторов потребовала немалых усилий специалистов всех служб завода – энергетиков, технологов, метристов.

Развитие систем связи, радиолокации, передачи данных требовали создания радиоэлектронной аппаратуры для работы в сверхвысокочастотном диапазоне волн. В связи с этим в конце 70-х годов была поставлена задача по разработке полевых транзисторов на новом материале - арсениде галлия. На основе НИР, проведённой в НИИПЭ, с января 1979 года была поставлена ОКР под шифром «Пенс-2» (обозначение транзистора 3П321). Главным конструктором был Г.В.Нечаев, заместителями его – В.А.Дмитриев и Г.В.Вахренёв. Работа была завершена в середине 1980 года. Результатом её стало создание первого в стране СВЧ транзистора на арсениде галлия, разработанного для серийного производства. При выполнении ОКР был решён ряд серьёзных научно-технических проблем. Так, по нашим техническим требованиям на Подольском химико-металлургическом заводе совместно с Гиредмет, г. Москва была разработана технология и организовано производство полуизолирующего арсенида галлия, пригодного для изготовления подложек для СВЧ полевых транзисторов. По результатам совместных с нами работ по этому материалу было получено авторское свидетельство на изобретение (авторский коллектив, в составе которого В.В.Зайцев, В.Б.Смолкин и др.). Был также получен ряд авторских свидетельств на технологические приёмы и конструкции полевых транзисторов на арсениде галлия (авторы Г.В.Нечаев, В.А.Дмитриев и др.).

На НЗЛК был организован участок по освоению производства этих транзисторов. В 1982 г., в период военных событий на Ближнем Востоке, перед нами была поставлена задача резкого увеличения объёмов выпуска полевых транзисторов на арсениде галлия. Они были срочно нужны для применения в самолётных СВЧ системах противодействия радиоэлектронным средствам противника. Для организации серийного производства приказом генерального директора объединения впервые был создан НПК (научно-производственный комплекс) в составе ОКБ, плюс заводской участок «Пенс». Начальником НПК был назначен В.Б.Смолкин. Объединённому коллективу пришлось работать в усиленном режиме по 12-14 часов в день. Силами ОКБ решались задачи, связанные с отработкой технологических процессов, адаптацией оборудования для изготовления полевых транзисторов, обучения заводских технологов и рабочих. В составе ОКБ был организован отдел на заводе «Марс» в г. Торжке по производству металлокерамических корпусов для полевых транзисторов. Самое непосредственное участие в становлении этой технологии принимали сотрудники химлаборатории ОКБ под руководством Н.Б.Петровой. Совместными усилиями специалистов ОКБ и заводского участка «Пенс» задание по обеспечению предприятий страны СВЧ транзисторами на арсениде галлия было успешно выполнено. Разработка в ОКБ этих транзисторов получила дальнейшее развитие – было разработано и освоено на заводе более 15 типов этих приборов (разработчики Г.В.Нечаев, В.А.Дмитриев, В.Л. Романов). В последующие годы были разработаны монолитные схемы на арсениде галлия, главный конструктор – В.С.Галушко.

Разработанные малошумящие транзисторы на арсениде галлия были успешно применены в конвертерах для приёма спутникового телевидения, которые были разработаны под руководством инженера ОКБ Александра Кораблёва в сотрудничестве с предприятием «Микран», г. Томск и чехословацкими специалистами из фирмы «Тесла». В конце 80-х годов в СССР ещё не было собственных спутников для трансляции телевизионного вещания. Мы нашли огромную антенну (около двух метров в диаметре) на телевизионном заводе, попросили её у них и установили на крыше гальванического корпуса НЗЛК. С помощью своего конвертера нам удавалось принимать несколько зарубежных спутниковых программ. В тот период в ОКБ было изготовлено и поставлено различным организациям более 600 штук конвертеров. А теперь сколько антенн-тарелок установлено на телевизионной вышке в Новгороде?! К сожалению, это направление наших работ погибло вместе с распадом страны. Теперь комплекты аппаратуры спутникового ТВ можно свободно купить в магазинах, но, конечно, с конвертерами импортного производства.

В последующие годы велись разработки и внедрение на заводе интегральных микросхем на кремнии (разработчики – О.А.Смирнов, В.С.Петров, О.И.Васильев, Н.Г.Маслов, М.М.Абрамчук). НЗЛК был прекрасным полигоном для внедрения разработок и, практически, все изделия были внедрены в производство на заводе. Конечно, объёмы выпуска были различны, в зависимости от потребности радиотехнической отрасли.

В 1993 году в стране происходила массовая приватизация промышленных предприятий. НЗЛК был продан частному владельцу. Началась подготовка к работе в новых условиях, когда полностью прекратилось директивное планирование «сверху», а поставка полупроводниковых приборов для нужд оборонной промышленности сократилась до минимума.

Я перешёл на работу на завод и вскоре был назначен заместителем директора по маркетингу. Генеральный директор поручил мне найти ближайшую международную выставку электроники. Таковой оказалась выставка в Мюнхене, в ФРГ – одна из крупнейших в мире. Была заказана площадь стенда в 18 квадратных метров. Как правило, такой заказ делается за год до начала выставки. Администрация выставки для нас сделало исключение - возможно, из-за того, что мы были единственным предприятием – участником выставки из всего бывшего СССР. Наверное, по тем временам участие в ней было смелым решением.

Наша делегация специалистов во главе с генеральным директором И.А.Казанцевым отправилась туда на микроавтобусе. Ехали мы в Мюнхен четыре дня с большими приключениями. Но это – другая история.

Нельзя сказать, что своей продукцией мы поразили мир, но, по крайней мере, увидели реальных покупателей электронных компонентов и сделали заявку на участие в рыночных отношениях. Наш стенд посетили более 250 представителей иностранных фирм, были проведены переговоры о сотрудничестве с рядом предприятий, участвующих в выставке - на их стендах. По возвращении домой мы подготовили письма с предложениями о сотрудничестве всем фирмам, посетившим наш стенд. Этот маркетинговый ход принёс некоторые результаты. Откликнулась компания из Турции, запросившая высокочастотные транзисторы, аналоги BFR91А, который производили фирмы Siemens, Temic, Philips. После опробования образцов турки подписали контракт на поставку сразу 50 тысяч транзисторов. Затем подключились к заказам несколько других иностранных фирм, а поставки в Турцию увеличились до 1-1,5 миллионов штук в месяц. Изготовление приборов велось совместно ОКБ и заводом: первое изготавливало кристаллы, второй - производил сборку. Для оформления таможенных и отгрузочных документов на заводе были созданы два внешнеторговых подразделения. Постепенно расширялась номенклатура электронных компонентов и география поставок. Велись поставки транзисторов, тиристоров, диодов, а также интегральных микросхем, собранных на основе пластин со структурами, поставляемых заводом «Микрон». Поставки шли в 25 стран мира, в том числе в США, Японию, Тайвань, Ирландию и др. К 2005 году, не выдержав ценовой конкуренции с западными фирмами, завод прекратил производство полупроводниковых приборов и в 2006 году был закрыт.

ОАО «ОКБ-Планета» продолжает работать, поддерживая основное направление своей деятельности – разработку новой электронной компонентной базы, а также организовав её производство и поставку предприятиям страны. Значительное расширение получило новое направление – разработка и производство радиоэлектронной аппаратуры. Ряд специалистов и рабочих НЗЛК после закрытия завода получили приглашение в ОКБ и продолжают здесь работать на различных участках.

Продолжаю и я трудиться в родном для меня ОКБ, которое в этом году отмечает своё 50-летие. В этих стенах я набирался опыта у более старших товарищей и руководителей ОКБ и завода. Здесь и сейчас ещё работают несколько ветеранов, с которыми я начинал работать в давние 60-ые годы. Сам я считаю, что моя жизнь - творческая, научная, производственная и административная - сложилась удачно. Что касается общественного признания, то о чём-то могут сказать оказанные мне знаки внимания, в том числе высокие награды и звания. Прежде всего, медаль «За трудовое отличие», две медали ВДНХ СССР, знаки: «Почётный работник МЭП», «Изобретатель СССР». С уважением отношусь к присвоенным мне званиям «Почётный ветеран труда предприятия», «Заслуженный ветеран труда предприятия». Некоторым итогом моей творческой и научной работы можно считать13 авторских свидетельств на изобретение и патентов, полученных в соавторстве с сотрудниками ОКБ и НовГУ, а также более 20 опубликованных статей в научно-технических журналах и сборниках трудов различных конференций. Ну, а ещё важнее радость человеческого общения – за годы работы на «Планете» удалось встретиться со многими интересными людьми, приобрести не только соратников по работе, но и друзей, товарищей.

В.Б.Смолкин

А МНЕ ЗАПОМНИЛИСЬ РОЗЫ…

Критская Валентина Семёновна,