Розсіювання га дислокаціях

Розрахунок показує, що вклад розсіювання на нейтральних дислокаціях дуже малий. Проте, дислокації можуть бути і зарядженими. Так у напівпровідниках n - типу дислокації поводять себе як набір акцепторних рівнів, тобто з’являється ланцюжок негативних зарядів, який спотворює навколо себе позитивний об’ємний просторовий заряд.

При розрахунках дислокацію розглядають як заряджений циліндр радіусом R. Розсіяння на таких циліндрах сильно анізотропне. Найбільш ефективно розсіюються частинки, які рухаються перпендикулярно до осі циліндра. Розсіяння практично відсутнє, якщо частинка рухається паралельно до осі. Після усереднення по всіх напрямках отримуємо

τ_D =

N_D – число дислокацій на одиничну площадку, υ – швидкість розсіюваного електрона.

В іншому підході до даної задача знайдено

= , .

Експеримент показує, що вкладом розсіяння на дислокаціях при T > 300 K на величину рухливості електронів можна знехтувати.