![]() Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
![]() Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
![]() |
Ключ на биполярном транзисторе с изолированным затвором
Переходный процесс переключения IGBT (рис. 4.16) качественно во многом идентичен переключению мощного МДП-транзистора, за исключением стадии спада силового тока. Этап включения состоит из стадии задержки tD(on), нарастания тока коллектора и установления напряжения во входной цепи ключа [2,3]. Для расчета временных параметров можно воспользоваться формулами (4.25), (4.28) и (4.30), заменив соответствующие емкостные составляющие (CGS на CGE и CGD на CGC). а б Рис. 4.16 Пороговое напряжение для заданного режима нагрузки рассчитывается аналогично ( Затем наступает стадия спада коллекторного тока, которая разделяется на две фазы. Первая носит название инжекционной и характеризуется относительно высокой скоростью изменения тока:
На этапе спада тока входное напряжение медленно уменьшается и при значении:
где IO — начальная амплитуда остаточного тока, наступает так называемая рекомбинационная фаза, при которой изменение выходного тока определяется рекомбинацией накопленного заряда. При этом скорость спада коллекторного тока уменьшается:
Date: 2015-05-09; view: 1144; Нарушение авторских прав |