Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Ключ на мощном МДП-транзисторе





 

Рис.4.13

Ключ с резистивной нагрузкой по схеме с общим истоком показан на рис. 4.13.

Поскольку все мощные МДП-транзисторы имеют структуру с индуцированным каналом, при выполнении условия:

(4.22)

где Vo — пороговое напряжение на проходной характеристике транзистора, ключ заперт, а напряжение в цепи стока равно напряжению питания ключа Е. Обычно в закрытом состоянии ключа VGS = 0. Однако для высоковольтных транзисторов с целью защиты от всплесков стокового напряжения рекомендуется устанавливать небольшое отрицательное смещение EIN-, порядка (2...5 В) [2,3]. Отпирание ключа осуществляется подачей положительного входного импульса EIN-. Амплитуду EIN+ выбирают из условия:

(4.23)

где S — силовая крутизна транзистора.

Для стандартных схем управления EIN+ составляет 12...15 В.

Переходный процесс включения состоит из трех этапов: задержки включения, фронта нарастания тока и установления напряжения во входной цепи транзистора. На первом этапе при постоянном напряжении в цепи стока (VDS= E) осуществляется заряд входной емкости транзистора от цепи генератора:

(4.24)

Где CIN = CGS+CGD

Задержка включения tD(on) определяется при условии VGS = VO:

(4.25)

На втором этапе включения транзистор отпирается и по цепи нагрузки начинает протекать ток. Из-за действия отрицательной обратной связи через проходную емкость ключа CGD напряжение во входной цепи транзистора практически не изменяется (немного возрастает от значения V0 до порогового значения ). Таким образом, изменение напряжения на транзисторе на данном этапе определяется перезарядом проходной емкости входным током затвора:

(4.26)

Переходя к конечным приращениям:

(4.27)

Для временного интервала tr, характеризующего длительность нарастания тока (и спада напряжения), можно записать:

(4.28)

На последнем этапе процесса включения транзистор находится в открытом состоянии:

(4.29)

Где RON – сопротивление открытого канала.

При этом входное напряжение возрастает с постоянной времени RINCIN до максимального значения E+IN. Длительность этапа установления оценивается выражением:

(4.30)

Переходный процесс выключения также проходит в три этапа. Сначала, при переключении напряжения входного генератора, происходит разряд входной емкости:

(4.31)

На данном этапе ток ключа не изменяется , а длительность задержки выключения tD(off) определяется при условии уменьшения входного напряжения до порогового уровня:

(4.32)

Затем наступает этап активного выключения тока стока при действии сильной отрицательной обратной связи через проходную емкость CGD- Длительность этапа спада тока можно также оценить, как и при включении, приравняв ток в цепи затвора к току перезаряда проходной емкости:

(4.33)

При этом длительность спада:

(4.34)

На заключительном этапе выключения происходит установление входного напряжения до отрицательного значения E¯IN с постоянной времени RINCIN. Длительность этапа установления:

(4.35)

Основные диаграммы переключения МДП-транзистора представлены на рис. 4.14.

Проведенный анализ позволяет сделать следующие выводы:

Рис. 4.14

1. Времена задержек tD(on) и tD(off) пропорциональны постоянной времени входной цепи и уменьшаются с возрастанием перепада напряжения генератора EIN. Наименьшие значения времени задержки обеспечивает режим заряда (разряда) входной емкости от источника постоянного тока.

2. Фронты переключения слабо зависят от емкостей CGS и CDS и пропорциональны величине проходной емкости. Влияние тока нагрузки на параметры tR и tF определяется изменением порогового напряжения (рис. 4.15). 3. Скорость изменения напряжения на ключе ΔV/Δt не зависит от напряжения питания и определяется режимом входной цепи. При постоянном входном токе изменение напряжения на ключе практически линейно.

4. Временные параметры пропорциональны величине сопротивления цепи генератора RIN.

Рис. 4.15

 

Date: 2015-05-09; view: 1043; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию