Типы полупроводниковых диодов. Их параметры и вольт-амперные характеристики

Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с одним р-n-переходом и двумя выводами, в котором используются свойства перехода.

Все полупро­водниковые диоды подразделяют на два класса: точечные (выпрямительные, СВЧ-диоды, обращенные диоды, фотодиоды, полупроводниковые фотоэлементы) и плоскост­ные (выпрямительные, стабилитроны, туннельные, варикапы, светодиоды).

Вольт-амперные характеристики:

Для точечного диода ВАХ при различ­ных температурах приведены на рис 1.13. Из-за малой площади контакта прямой ток таких диодов сравнительно невелик. По той же причине у них мала и межэлектродная емкость, что позволя­ет применять эти диоды в области очень высоких частот (СВЧ-диоды). Точечные диоды используют в основном для выпрямления.

Для плоскостного выпрямительного диода ВАХ на рисунке 1.15. При подаче на полупроводни­ковый диод обратного напряжения в нем возникает незначительный обратный ток, обуслов­ленный движением неосновных но­сителей заряда через р-n-переход.

Основными параметрами выпрямительных диодов являются:

1.прямое напряжение Uпр, которое нормируется при определенном прямом токе Iпр;

2.максимально допустимый прямой ток диода Iпр мах.

3.максимально допустимое обратное напряжение диода Uобр мах;

4.обратный ток диода Iобр, который нормируется при определенном обратном напряжении Uобр.

4.Димисторы, тиристоры, симисторы, переключающие диоды. Основные параметры и вольт-амперные характеристики.
Тиристором - называют полупроводниковый прибор с тремя (или более) р-п- переходами, вольт-амперная характеристика которого имеет участок с отрицатель­ным дифференциальным сопротивлением и который используется для переклю­чения. Тиристоры делят на диодные иначе назыв динисторы (несимметричный диодный тиристор, симметричный диодный тиристор) и триодные иначе называют тринисторы (несимметричный триодный тиристор, симметричный триодный тиристор). Основные параметры: Напряжение переключения: постоянное – U_ПРК, импульсное –U_{ПРК И}, анодный ток I_А, Обратный ток I_ОБР, ток управления I_У .

Вах динистора , тиристора , симистора

5. Биполярные и полевые транзисторы. Принцип работы. Основные параметры и вольт- амперные характеристики.
Транзи́стор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Типы транзисторов: полевые и биполярные. Типы полевых: с управляющим p-n переходом и с изоляцией затвора. Биполярные делят на два типа p-n-p и n-p-n, которые в свою очередь подразделяются на низкочастотные, среднечастотные, ВЧ, СВЧ и малой мощности, средней мощности и большой мощности. Принцип работы. Между коллектором и базой транзистора типа n-p-n приложено положительное U. Когда эмиттерный ток I_Э=0, небольшой ток в транзисторе через коллекторный переход I_К0 обусловлен движением только неосновных носителей заряда (дырок из коллектора в базу, электронов из базы в коллектор). При повышении температуры число неосновных носителей заряда увеличивается и ток I_К0 резко возрастает.при подключении эмиттера к отрицательному зажиму источника питания возникает эммитерный ток I_Э. так как внешнее U приложено к эмиттерному переходу в прямом направлении, электроны преодолевают переход и попадают в область базы. База выполнена из p-полупроводника, поэтому электроны являются для нее неосновными носителями заряда. Электроны, попавшие в область базы, частично рекомбинируют с дырками базы. Однако базу обычно выполняют очень тонкой из p-полупроводника с большим удельным сопротивлением (малым содержанием примеси), поэтому концентрация дырок в базе низкая и лишь немногие электроны, попавшие в базу, рекомбинируют с ее дырками, образуя ток I_Б. Большинство же электронов вследствие теплового движения (диффузия) и под действием поля коллектора (дрейф) достигают коллектора, образуя составляющую коллекторного тока I_К.

Основными вольтамперными характеристиками транзистора являются входная и выходная

Основные параметры: Максимально допустимая мощность P_{К MAX}, Максимально допустимый ток коллектора I_{К MAX}, Максимально допустимое напряжение между коллектором и базой транзистора U_{КБ MAX}, Напряжение насыщения коллектор–эмиттер U_{КЭ НАС}, Импульсный ток коллектора I_КИ, Статический коэффициент передачи тока h_21Э, максимально допустимый ток базы I_{Б MAX}.