Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Электропроводность полупроводников. Полупроводников физические процессы в p-n переходе
|
|
В чистых полупроводниках присутствует определенная концентрация носителей заряда (электронов и дырок). Для снижения удельного сопротивления полупроводника и придания ему опред. типа электропроводности (электронной или дырочной) в чистые полупроводники вносят определенные примеси, такой процесс называют легированием. Электронно-дырочным переходом называют область на границе двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой дырочную электропроводность.
Если расположить рядом p- и n-полупроводники, то на границе между ними возникнет диффузный ток. IДИФ= IДИФ+ + IДИФ-; IДИФ›› IДР ; IДР= IДР+ + IДР- ; IДИФ + IДР =0. Произойдет это потому, что с одной стороны у нас чересчур много отрицательных зарядов (электронов), а с другой — положительных (дырок). Соответственно, электроны будут перетекать в приграничную область p-полупроводника. А поскольку дырка — место отсутствия электрона, то возникнет ощущение, будто дырки перемещаются в противоположную сторону — к границе n-полупроводника. Попадая в p- и n-области, электроны и дырки рекомбинируют, что приводит к снижению количества подвижных носителей заряда. На этом фоне становятся ясно видны неподвижные положительно и отрицательно заряженные ионы на границах полупроводников (от которых «ушли» рекомбинировавшие дырки и электроны). В итоге получим две узкие заряженные области на границе веществ. Это и есть p-n переход, который также называют запирающим слоем из-за малой концентрации в нем подвижных носителей заряда. ВАХ перехода
.
Date: 2015-05-09; view: 1755; Нарушение авторских прав