Подготовка к лабораторной работе. Основное внимание следует уделить физическому смыслу и методам измерений основных электрических параметров логических микросхем

Основное внимание следует уделить физическому смыслу и методам измерений основных электрических параметров логических микросхем, а также схемотехническим особенностям ТТЛ-схем. Статические параметры могут быть определены с помощью графиков передаточной (рис. 2.1.) и входной (рис. 2.2) характеристик.

Сначала по графику передаточной характеристики (рис.2.1.) определяют уровень логического нуля U ° и уровень логической единицы (точки А и В определяются пересечением характеристики с ее зеркальным отражением), а затем с помощью графика (рис.2.2) входные токи и .

Рис.2.1

Рис.2.2

С помощью графика (рис.4.1.) определяют статическую помехоустойчивость ИМС. , (Напомним, что в точках С и D касательная проходит под углом 45°).

Быстродействие микросхем определяет среднее время задержки распространения сигнала

,

где - времена задержки переднего и заднего фронтов импульса, измеряемые на уровне 0,5 от амплитуды импульса.

Экономичность микросхемы характеризует средняя потребляемая мощность (в состояниях ноль и единица)

.

Интегральное качество микросхемы определяет синтетический параметр работа переключения

В лабораторной работе используется микросхема К155ЛАЗ (зарубежный аналог в Multisim 10 7400N), в состав которой входят 4 схемы 2И- НЕ.