Общие сведения. Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей через проводящий канал и управляемым

Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей через проводящий канал и управляемым электрическим полем.

Токопроводящие каналы могут быть приповерхностными (транзисторы с изолированным затвором) и объемными (транзисторы с управляющим p-n-переходом).

В данной работе исследуется транзистор с объемным каналом n-типа. Площадь поперечного сечения канала меняется за счет изменения площади обедненного слоя обратно включенного p-n- перехода. Электрод, создающий эффект поля, называют затвором (З), два других электрода – истоком (И) и стоком (С). В зависимости от того, какой из выводов является общим для входа и выхода, различают три схемы включения полевого транзистора: с общим истоком (ОИ), с общим затвором (ОЗ) и общим стоком (ОС).Наибольшее распространение на практике получила схема с ОИ, исследуемая в данной работе.

На p-n-переход (затвор-исток) подается обратное напряжение Uзи. При его уменьшении глубина обедненного слоя возрастает, а токопроводящее сечение канала сужается. При этом увеличивается сопротивление канала, а следовательно, снижается выходной ток Ic транзистора. Поскольку напряжение Uзи прикладывается к p-n-переходу в обратном направлении, ток Iз ничтожно мал и практически не зависит от управляющего напряжения.

2. Приборы и оборудование: полевой транзистор КП103, вольтметры, миллиамперметр, источник питания.

3. Схема соединений:

4. Порядок выполнения работы:

4.1 Собрать схему, показать преподавателю, включить питание.

4.2 Снять входную характеристику Iс=F(Uз.и.) Uс.и.=5B.Заполнить таблицу 1.

4.3 Снять семейство выходных характеристик Iс=F(Uс.и.) для трех случаев при Uз.и=0;0,2;0,5В. Заполнить таблицу 2.

4.4. Построить графики входной Iс=F(Uз.и.) и выходных Iс=F(Uс.и.) характеристик.

4.5. Рассчитать крутизну S=DIс/DUз.и. при Uс.и.=const; рассчитать выходную проводимость g22 и, g22и=DIс/DUс.и. при Uз.и.=const.

Таблица 1.

Таблица 2.

5. Сделать вывод о проделанной работе, ответить на контрольные вопро сы.

6. Контрольные вопросы:

6.1 Дать определение полевого транзистора, его назначение?

6.2 В чем отличие полевого транзистора от биполярного?

6.3 Чем объясняется высокое входное сопротивление полевых транзисторов?

Лабораторная работа 4.

Исследование однокаскадного усилителя звуковой частоты.

1. Цель работы: изучение принципа действия усилителя звуковой частоты (УЗЧ) на транзисторе, включенном с общим эмиттером; определение его основных параметров.