Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Общие сведения. Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронаСтр 1 из 8Следующая ⇒ Лабораторная работа 1. Исследование полупроводниковых диодов и стабилитрона. 1. Цель работы: экспериментальное исследование характеристик и параметров германиевого и кремниевого диодов и стабилитрона. Общие сведения. Полупроводниковыми диодами называют большую группу электронных приборов, принцип действия которых основан на свойствах р-n-перехода. В качестве исходного материала для изготовления диодов применяют германий и кремний. Для достижения высокого качества п/п приборов необходимо иметь исходный материал, имеющий правильную кристаллическую структуру и весьма высокую чистоту. Добавлением примесей – донорных или акцепторных в исходный материал, получают полупроводники с дырочной проводимостью р-типа или с электронной проводимостью n-типа. При контакте двух полупроводников с различной проводимостью в граничной области, называемой р-n-переходом, образуется тонкий запорный слой. Этот слой возникает благодаря диффузионному переходу электронов из n-полупроводника в р-полупроводник, т.е. в область, где концентрация электронов меньше. В свою очередь дырки диффундируют в область полупроводника n-типа, где концентрация дырок мала. В процессе перехода электронов и дырок по обе стороны границы образуются слои, обедненные основными носителями зарядов. Кроме того, на границе полупроводников создается двойной электрический слой. Диффузия прекратится, когда установится определенная контактная разность потенциалов j 0 (потенциальный барьер), препятствующая дальнейшему переходу электронов и дырок. При подключении внешнего напряжения Е к p-n-переходу плюсом к полупроводнику n-типа, а минусом к полупроводнику р-типа обедненный слой расширится, т.к. суммарное действие поля источника Е и поля Еpn дает результирующее поле с большим потенциальным барьером, равным j = j 0 +Е. Сопротивление перехода резко возрастет. В цепи будет протекать незначительный ток, обусловленный проводимостью полупроводника за счет неосновных носителей заряда. Если изменить полярность подключения источника, то внешнее поле Е будет уже направлено навстречу полю j и нейтрализует его. Высота потенциального барьера уменьшается j = j 0 - Е. Сопротивление перехода снижается, и с увеличением разности потенциалов ток будет возрастать примерно по экспоненциальному закону. Описанные явления лежат в основе работы диодов, транзисторов и других п/п приборов. Диоды применяют для выпрямления переменного тока; в цепях, где требуется одностороняя проводимость; для детектирования радиосигналов и т.д. Разновидность диодов – стабилитроны используются для стабилизации напряжения, которые работают на обратной ветви ВАХ.
2. Приборы и оборудование: лабораторная панель, германиевый диод, кремниевый диод, стабилитрон, источник питания, вольтметр, миллиамперметр.
3. Схема соединений:
4. Порядок выполнения работы: 4.1 Ознакомиться с приборами и оборудованием. 4.2. Собрать схему с германиевым диодом, показать преподавателю. 4.3. Снять прямую ветвь вольт-амперной характеристики (ВАХ) Iпр.=F(Uпр), увеличивая прямое напряжение с 0,1В через 0,05В и фиксируя прямой ток. Данные занести в таблицу. 4.4. Снять обратную ветвь ВАХ Iобр=F(Uобр.), увеличивая обратное напряжение через 1В и фиксируя обратный ток. (полярность подключения приборов поменять на обратное). Данные занести в таблицу. 4.5. Проделать пункты 4.2, 4.3, 4.4 для кремниевого диода. 4.6. Проделать пункты 4.2, 4.3, 4.4 для стабилитрона. 4.7. Построить ВАХ I=F(U) обоих диодов и стабилитрона на одном рисунке. Проанализировать их. 4.8. Определить напряжение стабилизации и минимальный ток стабилизации стабилитрона.
Сделать вывод о проделанной работе, ответить на контрольные вопросы.
6. Контрольные вопросы: 6.1. Назначение диода? 6.2. В чем отличие германиевого диода от кремниевого? 6.3. Основные параметры диодов? 6.4. Определение и назначение стабилитрона? 6.5. Основные параметры стабилитрона? Таблица 1.1
Таблица 1.2
Лабораторная работа 2 Исследование биполярного транзистора.
1. Цель работы: снятие входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с ОЭ, и исследование его усилительных свойств.
|