Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






МДП-транзисторы со встроенным каналом





+
И
З
С
(+)
+
n
n
n
p
n
Конструкция МДП-транзистора со встроенным каналом n -типа представляет собой кремниевую пластинку с электропроводностью р -типа (рисунок 43).

    Рисунок 43 – Конструкция МДП-транзистора со встроенным каналом n -типа

В ней созданы две области с повышенной проводимостью n+ -типа. Эти области являются стоком и истоком. Между ними имеется тонкий приповерхностный канал с электропроводностью n -типа. Длина канала примерно на два порядка меньше его ширины.

Толщина диэлектрического слоя (обычно это SiO2) ≈ 0,1 – 0,2 мкм. Сверху диэлектрического слоя расположен затвор в виде тонкой металлической пленки. В МДП-транзисторе обычно делают четвертый электрод, которым является подложка (т. е. пластина p -типа).

Принцип работы. Если при U З-И = 0 приложить напряжение между стоком и истоком U C-И, то через канал потечет ток, представляющий собой поток электрона.

При подаче U З-И > 0 в канале создается поперечное электрическое поле, под влиянием которого электроны проводимости выталкиваются из канала в области стока, истока и в кристалл. Канал объединяется электроном, сопротивление его увеличивается, I C уменьшается.

Чем больше напряжение на затворе U З-И, тем меньше I C. Такой режим транзистора называют режимом обеднения.

Если U З-И < 0, то под действием поля, созданного этим напряжением, из областей стока, истока и кристалла в канал будут приходить электроны, проводимость канала увеличится и I C возрастет. Этот режим называют
режимом обогащения.

Все эти физические процессы наглядно выражаются выходной (стоковой) характеристикой (рисунок 44, а).

По выходной характеристике можно построить стоково-затворную (переходную) характеристику (рисунок 1.44, б). Как видно, выходные характеристики подобны таким же характеристикам транзистора с управляющим p – n -переходом.

Параметры МДП-транзисторов аналогичны параметрам полевых транзисторов с управляющим p – n -переходом. Если кристалл имеет электропроводность n- типа, канал должен быть p -типа, а полярность напряжений – обратной.

 

I C, мA
I C, мA


 
+U З-И, В
 
2,5
–U З-И, В
U C = const
Режим обогащения
Режим обеднения
U З-И = –4 В Режим обеднения
U З-И = –2 В
U З-И = +4 В
U З-И = +2 В Режим обогащения
U З-И= 0
U C, В
 
 
 
 

а
б


 

 

Рисунок 44 – Выходная и стоково-затворная характеристики

МДП-транзистора со встроенным каналом n- типа

Date: 2015-05-05; view: 616; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.005 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию