Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Полевые транзисторы с управляющим p – n-переходом

⇐ ПредыдущаяСтр 22 из 32Следующая ⇒

Конструкция. Рассмотрим n -канальный транзистор с управляющим p – n -переходом. Конструктивно такой транзистор представляет собой пластинку полупроводника n -типа с двумя p – n -переходами и тремя выводами
(рисунок 40). Электрод, от которого начинают движение носители заряда, называется истоком (И), а электрод, к которому они движутся, – стоком (С).

Оба p -слоя электрически связаны между собой и имеют общий электрод, называемый затвором (З). Между p – n -переходами располагается канал, в данном случае n -типа. Управляющее (или входное) напряжение подается между З и И. U З-И является обратным для обоих p – n -переходов. В выходную цепь, в которую входит канал транзистора, подключается напряжение U C-И положительно полюсом к стоку.

Принцип работы сводится к тому, что при изменении U З-И изменяется ширина p – n -переходов, которые представляют собой участки полупроводника, обедненные носителями заряда. Так как p -слой имеет бóльшую концентрацию примесей, чем n -слой, то изменение ширины переходов происходит в основном за счет более высокоомного n -слоя (эффект модуляции ширины базы). Тем самым изменяются сечение токопроводящего канала и его проводимость, т. е. выходной ток I С (рисунок 41).

p

p – n -переход
И
n
U З-И
З
С
И
p
З
Канал
С

 

 


U С-И
Рисунок 41 – Принцип работы

полевого транзистора с p – n -переходом

U С-И


Рисунок 40 – Конструкция транзистора

с управляющим p – n -переходом

 

 

Особенностью полевого транзистора является то, что на проводимость канала оказывает влияние как управляющее напряжение U З-И, так и
напряжение U C-И.

При U C-И > 0 через канал протекает I C, в результате чего создается падение напряжения, возрастающее в направлении стока. Потенциалы точек канала n -типа будут неодинаковы по его длине, возрастая в направлении стока от 0 до U C-И. Повышение U C-И вызывает дальнейшее увеличение падения напряжения в канале и уменьшение его сечения, т. е. проводимости. При некотором U С-И происходит смыкание границ p – n -переходов и сопротивление канала становится высоким.

 


⇐ Предыдущая17181920212223242526Следующая ⇒





Date: 2015-05-05; view: 574; Нарушение авторских прав


mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию