Характеристики полевых транзисторов с p – n-переходом

Выходная характеристика показывает, что с увеличением U _C-И ток стока I _C сначала растет довольно быстро, а затем это нарастание замедляется, т. е. наступает насыщение. Именно в этой области насыщения, на пологих участках и происходит работа транзистора (рисунок 42).

Рисунок 42 – Характеристики полевых транзисторов с p – n -переходом:

а – стоковые (или выходные): I _С = f (U _C-И) / U _З-И = const;

б – стоково-затворные (или передаточные): I _С = f (U _З-И) / U _C-И = const

Явление насыщения объясняется тем, что при повышении U _C-И ток I _C должен увеличиваться, но так как одновременно повышается обратное напряжение на p – n -переходе, то запирающий слой расширяется, а канал сужается, его сопротивление возрастает и I _C должен уменьшаться, т. е. имеют место два взаимно противоположных воздействия на ток, который в результате остается почти постоянным.

При подаче большего отрицательного U _З-И ток стока I _C уменьшается и характеристика проходит ниже.

Дальнейшее повышение U _C-И приводит к электрическому пробою
p – n -перехода, и I _C начинает лавинно возрастать.

Параметры:

• Крутизна = const характеризует управление действия

затвора. Например, S = 3 мA/B означает, что изменение U _З-И на 1 В создает изменение тока стока на 3 мA.

• Внутренне (выходное) сопротивление при U _З-И = const, т. е. это сопротивление транзистора между стоком и истоком.

• Коэффициент усиления при I _C = const показывает, во

сколько раз сильнее действует на I _C изменение U _З-И по сравнению с U _C-И,
т. е. выражается отношением таких изменений напряжений, которые компенсируют друг друга по действию на I _C. Для такой компенсации напряжения должны иметь разные знаки, отсюда знак «минус»; μ = S · R_i имеет значения от сотни до тысячи на пологом участке.

• Входные сопротивления при U _С-И = const, так как I _З является обратным током p – n -перехода, значит, он очень мал и R _вх приблизительно будет от единиц до десятков мегаом.

• Межэлектродные емкости:

- С _З-И – входная емкость – это барьерная емкость p – n -перехода;

- С _З-С – проходная емкость между затвором и стоком;

- С _C-И – выходная емкость.

Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП)

В отличие от полевых транзисторов с p – n -переходом, в которых затвор

имеет непосредственный электрический контакт с областью токопроводящего канала, в МДП-транзисторах затвор изолирован от канала слоем диэлектрика.