![]() Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
![]() Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
![]() |
Емкость области пространственного заряда
Поскольку полный заряд в ОПЗ Q sc зависит от величины поверхностного потенциала ψ s, то область пространственного заряда обладает определенной емкостью C sc. Величина C sc, как следует из соотношения (3.18), будет равна:
Для того, чтобы получить выражения для емкости ОПЗ в различных случаях (обеднение, обогащение, инверсия), можно либо непосредственно воспользоваться (3.54), либо воспользоваться выражениями для заряда Q sc, полученными в разделе 3.2.2. Напомним, что рассматривается полупроводник p -типа.
Область обогащения (ψ s < 0) Емкость ОПЗ C sc обусловлена емкостью свободных дырок C p:
Область обеднения и слабой инверсии (2 φ 0 > ψ s > 0) Емкость ОПЗ C sc обусловлена емкостью области ионизованных акцепторов C B:
Из соотношения (3.56) следует, что емкость C sc в области обеднения слабо зависит от поверхностного потенциала ψ s, убывая с ростом последнего. Минимальное значение емкости C sc достигается вблизи порогового значения поверхностного потенциала. Емкость ОПЗ в области обеднения и слабой инверсии эквивалентна емкости плоского конденсатора, заполненного диэлектриком с относительной диэлектрической проницаемостью ε s, пластины которого находятся друг от друга на расстоянии W, равном ширине ОПЗ.
Плоские зоны (ψ s = 0) Соотношения (3.55) и (3.56) несправедливы при ψ s → 0, т.е. в области плоских зон у поверхности полупроводника. Непосредственная подстановка ψ s = 0 в выражение (3.55) приводит к неопределенности типа «ноль делить на ноль». Для расчета емкости плоских зон C FB необходимо провести разложение экспоненты в (3.55) в ряд и после предельных переходов имеем:
Емкость ОПЗ в плоских зонах эквивалентна емкости плоского конденсатора с обкладками, удаленными на дебаевскую длину экранирования.
Область сильной инверсии (ψ s > 2 φ 0) Емкость ОПЗ C sc обусловлена емкостью свободных электронов C n в инверсионном слое и при достаточно больших значениях поверхностного потенциала
Из анализа (3.55) и (3.58) следует, что емкости свободных носителей в обогащении и сильной инверсии экспоненциально зависят от поверхностного потенциала ψ s и имеют одинаковые значения, если величину поверхностного потенциала отсчитывать для инверсии от порогового значения ψ s = 2 φ 0. На рисунке 3.7 приведен график зависимости емкости ОПЗ C sc от величины поверхностного потенциала ψ s, рассчитанной по соотношениям (3.55 – 3.58). Рис. 3.7. Зависимость емкости области пространственного заряда C sc от поверхностного потенциала, рассчитанная в классическом (сплошная линия) и вырожденном (пунктирная линия) случае Date: 2015-05-05; view: 586; Нарушение авторских прав |