Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Форма потенциального барьера на поверхности полупроводника





При решении уравнения Пуассона в разделе 3.2.1 нами был получен первый интеграл в виде (3.16). Для нахождения формы потенциального барьера, т.е. зависимости электростатического потенциала ψ (z), необходимо проинтегрировать соотношение (3.16) и получить второй интеграл уравнения Пуассона:

. (3.43)

В общем виде уравнение (3.43) решить и найти аналитическое выражение ψ (z) не удается. Рассмотрим частные случаи.

 

1. Собственный полупроводник: p = n = n i; φ 0 = 0

Из (3.15) следует, что величина F (ψ, φ 0) для собственного полупроводника

. (3.44)

Подставляя (3.44) в (3.43), имеем:

. (3.45)

Легко убедиться, что решение (3.45) будет в виде:

(3.46)

или

. (3.47)

Из (3.47) трудно наглядно представить форму потенциального барьера. Расчет показывает быстрый спад ψ (z) вблизи поверхности и относительно медленное убывание при больших величинах z.

 







Date: 2015-05-05; view: 522; Нарушение авторских прав



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.005 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию