Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Форма потенциального барьера на поверхности полупроводника
При решении уравнения Пуассона в разделе 3.2.1 нами был получен первый интеграл в виде (3.16). Для нахождения формы потенциального барьера, т.е. зависимости электростатического потенциала ψ (z), необходимо проинтегрировать соотношение (3.16) и получить второй интеграл уравнения Пуассона: . (3.43) В общем виде уравнение (3.43) решить и найти аналитическое выражение ψ (z) не удается. Рассмотрим частные случаи.
1. Собственный полупроводник: p = n = n i; φ 0 = 0 Из (3.15) следует, что величина F (ψ, φ 0) для собственного полупроводника . (3.44) Подставляя (3.44) в (3.43), имеем: . (3.45) Легко убедиться, что решение (3.45) будет в виде: (3.46) или . (3.47) Из (3.47) трудно наглядно представить форму потенциального барьера. Расчет показывает быстрый спад ψ (z) вблизи поверхности и относительно медленное убывание при больших величинах z.
Date: 2015-05-05; view: 522; Нарушение авторских прав |