![]() Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
![]() Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
![]() |
ВАХ биполярного транзистора и его статические параметры
Рис. 2 Схема включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ). Выходной ток - ток коллектора, входной ток - ток базы. - Схема с общей базой (ОБ). Эта схема дает меньшее усиление по мощности, чем схема с ОЭ, но она значительно лучше по частотным и температурным свойствам. - Схема с общим коллектором (ОК). Эта схема включения отличается большим входным сопротивлением и малым выходным. Т.к. она усиления по току не дает, ее называют эмиттерным повторителем. Существует четыре типа статических характеристик транзистора при включении по схеме с ОЭ. Входные характеристики - зависимость тока базы от напряжения на базе при постоянном напряжении на коллекторе: Iб = f(Uб); Uк = const. (Рис. 3б) Выходные характеристики - зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при постоянном токе базы: Iк = f(Uк); Iб = const. Iб3> Iб2> Iб1. (Рис. 3а) Характеристики передачи тока - зависимость тока коллектора от тока базы при постоянном напряжении на коллекторе: Iк = f(Iб); Uк = const. (Рис. 3в) Характеристика обратной связи по напряжению - зависимость напряжения на базе от напряжения на коллекторе при постоянном токе базы: Uб = f(Uк); Iб = const. (Рис. 3в) Рис. 3 Статические характеристики транзистора при включении по схеме с ОЭ. Характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ Входной характеристикой является зависимость: IЭ = f(UЭБ) при UКБ = const (а). Выходной характеристикой является зависимость: IК = f(UКБ) при IЭ = const (б).
Date: 2015-05-05; view: 1364; Нарушение авторских прав |