Модель биполярного транзистора (модель Эбберса-Молла)

Простейшим вариантом низкочастотной модели Эберса – Мола является модель с идеальными p - n -переходами и двумя источниками тока.

Здесь - коэффициент передачи коллекторного тока в инверсном режиме; - токи, текущие через переходы, они определяются соотношениями:

,

- обратные тепловые токи коллектора и эмиттера соответственно.
В некоторых источниках и справочниках используются обозначения для обратных тепловых токов в виде IЭБК и IКБК, причем эти тепловые токи измеряются при короткозамкнутых коллекторе для IЭБК и эмиттере для IКБК. Кроме того, в аналитических соотношениях иногда используются обозначения IЭ0 и IК0, равные

,

отражающие обратные токи эмиттера и коллектора при обрыве коллектора или эмиттера соответственно.

В соответствии с первым законом Кирхгофа для токов эмиттера и коллектора схемы рис.3.11 имеем

(*)

Другая модель Эберса-Молла для идеального транзистора описывается одним управляемым источником тока.

(***)

Система (***) и позволяет построить модель с одним источником тока (рис.3.12).

Здесь .

Эту модель как основу используют некоторые программы моделирования электронных схем, такие как Micro - Cap, Design Center и др.