Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе в схеме ОЭ

Вопросы по твердотельной электронике

Образование зон в полупроводниках

Собственная проводимость полупроводников

Донорнаяпроводимость полупроводников (проводимость п-типа)

Акцепторная проводимость полупроводников (проводимость р-типа)

Движение свободных носителей заряда в полупроводнике

Фундаментальная система уравнений для свободных носителей в полупроводнике

7. "р-п" - переход (образование, структура, основные параметры)

8. Граничные условия Шокли для "р-п" - перехода

9. Вольтамперная характеристика идеального " р-п" - перехода

10. Обратная ветвь ВАХ "р-п" - перехода. Пробой "р-п" - перехода

11. Контакт «полупроводник - металл»

Полупроводниковые диоды (основные виды, их полупроводниковые структуры и обозначения на схемах (было задано для самост. работы))

Переходные процессы в полупроводниковых диодах. Частотные свойства диодов.

Статические и динамические модели полупроводниковых диодов. Линеаризированная статическая модель полупроводникового диода.

Использование линеаризированной модели диода для расчета цепей с диодами

Параметрический стабилизатор напряжения на стабилитроне.

Выпрямители переменного тока на полупроводниковых диодах.

Полупроводниковая структура и принцип работы биполярного транзистора

ВАХ биполярного транзистора и его статические параметры.

Модель биполярного транзистора (модель Эбберса-Молла)

Биполярный транзистор как четырехполюсник, h-параметры. Графическое определение h -параметров.

Выбор рабочей точки биполярного транзистора.

Схема включения биполярного транзистора с общей базой

Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером

Схема включения биполярного транзистора с общим коллектором

Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе в схеме ОЭ

Date: 2015-05-05; view: 703; Нарушение авторских прав