Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Электрическая схема установки. Установка содержит однокаскадный импульсный усилитель на биполярном транзисторе (рис





 

Установка содержит однокаскадный импульсный усилитель на биполярном транзисторе (рис. 5). Напряжение питания транзистора в цепи коллектора устанавливается источником питания G 1, а ток коллектора I 1 контролируется прибором. С помощью переключателя S4 (положения 16…20) сопротивление нагрузки в цепи коллектора изменяется в пределах 130 Ом…75 кОм.

Переключатель S3 (положения 5, 6), подключающий ёмкостную нагрузку С 3 в цепь коллектора, позволяет определять её влияние на форму выходных импульсов.

Режим питания транзистора по цепи базы устанавливается резистором R 1, подключаемым через переключатель S1, и источником напряжения смещения G 2, подаваемого через резистор R 3.

Импульсный сигнал типа «Меандр» подаётся на Вх. 1 через конденсатор С 1 и резистор R 2 на базу транзистора. Ускоряющий конденсатор С 2, _одклюючаемый параллельно резистору R 2 переключателем S2, позволяет уменьшить время задержки включения транзистора, обусловленное рассасыванием неосновных носителей в области базы.

Измерители тока базы I 2 и тока коллектора I 1 позволяют снять статические характеристики транзистора и определить коэффициент передачи тока базы в схеме с общим эмиттером.

 

 

G 1 КТ1

-(0…13) В

 

 
 

 


R 1 75к S5

 

S1

20 19 18 17 16

КТ3 2

R 4 R 5 R 6 R 7 R 8

Вх. 1 С 1 20,0 1 75к 30к 5,1к 910 130

КТ2 + КТ5

R2

С 2КТ4

6

       
   
 
 


4 5

VT 1

S2 R 3 30к МП42А S3 С 3 470

 

           
 
     
 

 


G 2 (0…2,8) В

 

Рис. 5. Схема принципиальная электрическая установки для исследования

работы биполярного транзистора в ключевом режиме

 

Date: 2015-05-04; view: 594; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.005 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию