Главная Случайная страница



Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника







Задание. Снятие статических характеристик транзистора





 

Снятие статических характеристик транзистора.

4.1.1. Установить переключатели в положение 2-4-5-17. Регулировкой источника питания G2 установить ток базы транзистора I2 равным 100мкА. Изменяя регулировкой источника питания G1 напряжение в точке КТ5 (коллектор транзистора), снять зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при постоянном токе базы (статическую характеристику). Устанавливая фиксированные значения тока базы равными 200, 300 и 400 мкА, снять соответствующие статические характеристики.

4.1.2. Установить напряжение источника питания G1 равным -5 В, а переключатели в положение 2-4-5-16. Снять входную характеристику транзистора – зависимость тока базы (I2) от напряжения на базе (точка КТ4).

Снятие импульсных характеристик транзистора.

4.2.1. Установить переключатель формы выходного напряжения генератора низких частот (НЧ) в положение с амплитудой (2…3) В и частотой порядка 10…20 кГц. Подключить выход генератора на Вх.1 лабораторной установки.

Форму и амплитуду сигнала проверить в точке КТ2. Установить напряжение источника питания G1 равное -10 В, а переключатели в положение

2-4-5. Изменяя положения 16…20 переключателя S4, снять зависимость времени нарастания и спада импульса от сопротивления нагрузки (резисторы R4R8).

4.2.2. Подключить во входной цепи конденсатор С2 параллельно резистору R2 (положение 3 переключателя S2) и повторить измерения в соответствии с п.3.2.1.

4.2.3. Подключить конденсатор С3 параллельно переходу коллектор-эмиттер транзистора (положение 6 переключателя S3) и повторить измерения в соответствии с п.3.2.1.








Date: 2015-05-04; view: 314; Нарушение авторских прав



mydocx.ru - 2015-2021 year. (0.007 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию