Возрастает эффективность управления памятью —всего за четыре

Такта передается вся информация, описывающая массив данных.

Максимальная достижимая нынешним поколением SLDRAM

скорость передачи превышает 1 Гбайт/с на каждый разряд при час-

Тоте 400 МГц. Надо заметить, что при такой частоте очень важно,

Чтобы все сигналы точно синхронизировались с тактовыми импуль-

Сами системной шины, и чтобы все микросхемы памяти в пределах

Глава 2. Архитектура и структура ВМ и систем

Одного модуля имели близкие временные задержки. Для этого кон-

Троллер программирует все чипы модуля памяти так, чтобы они вы-

Давали данные на шину одновременно, независимо от разброса их

Параметров и степени удаленности микросхем от контроллера. В ре-

Зультате самая удаленная микросхема выдает данные без задержки,

А самая близкая —через промежуток времени, нужный, чтобы сиг-

Нал распространился от самой удаленной до самой близкой. Эти

Значения определяются в момент подачи питания на ИС и постоян-

Но корректируются во время работы.

ESDRAM (Enhanced SDRAM —улучшенная SDRAM) —более

Быстрая версия SDRAM, сделанная в соответствии со стандартом

JEDEC компанией Enhanced Memory Systems (EMS). С точки зре-

Ния времени доступа производительность ESDRAM в 2 раза выше

По сравнению со стандартной SDRAM. В большинстве приложений

ESDRAM, благодаря более быстрому времени доступа к массиву

SDRAM и наличию кэша, обеспечивает даже большую производи-

Тельность, чем DDR SDRAM.

Сначала появился EDRAM (с асинхронным интерфейсом), а за-

Тем с появлением SDRAM был разработан ESDRAM (с синхрон-

ным). Основные его отличия от SDRAM:

•более быстрое время доступа (27 не вместо стандартных

Не);

•производительность, повышенная почти до уровня статиче-