Возможно. При записи в память эта линия игнорируется

•ввод/вывод данных. Выводы DQ (также именуемые входо-вы-

ходными или I/Os) на чипе памяти предназначены для ввода и

вывода. Во время операции записи высокое (≪1≫) или низкое

(≪О≫) напряжение подается на DQ. При чтении данные считы-

Ваются из выбранной ячейки и передаются на DQ, если доступ

осуществлен и /ОЕ открыт. Все остальное время DQ находятся

В закрытом состоянии (высокое входное сопротивление) — они не потребляют электрический ток и не выдают сигналов.

Рассмотрим модификации систем динамической оперативной

Памяти.

FPM DRAM (Fast page mode DRAM) —представляет собой

Стандартный тип памяти, быстродействие которой составляет 60

Или 70 не. Система управления памятью в процессе считывания ак-

Тивирует адреса строк, столбцов, осуществляет проверку данных и

Передачу информации в систему. Столбцы после этого деактивиру-

Ются, что приводит к нежелательному состоянию ожидания процес-

Сора в некоторых сочетаниях операций с памятью. В наилучшем

Случае данный режим реализует временную схему пакета вида

5-3-3-3.

EDO RAM (RAM с расширенным выходом). Обращение на чте-

Ние осуществляется таким же образом, как и в FPM, за исключени-

ем того, что высокий уровень /CAS не сбрасывает выходные дан-

Ные, а использование триггера позволяет сохранять данные до тех

Пор, пока уровень CAS снова не станет низким. Тем самым не про-

Организация оперативной памяти 133

Исходит сброса адреса столбцов перед началом следующей операции

С памятью.

Упрощенная схема работы EDO показана на рис. 2.16. Выход-

Ная величина поддерживается последовательностью стробирующих

Импульсов до тех пор, пока она не будет считана ЦП, что особенно

Важно для быстрых процессоров наподобие Pentium; эта память

Обеспечивает лучшие параметры для серии быстрых последователь-

Date: 2015-11-13; view: 388; Нарушение авторских прав