Шина работает на тактовой частоте 400 МГц и позволяет передавать

Данные на 800 МГц (данные передаются по обоим фронтам такта).

Такая высокая частота достигается за счет использования некото-

Рых технических приемов. Два канала данных (шириной в байт ка-

Ждый) позволяют получить пиковую пропускную способность в

1,6 Гбайт/с. Канал может быть выполнен на обычных системных

Платах и соответствует форм-фактору SDRAM.

RIMM содержит 16 банков памяти (до 32 —в реализации NEC).

К каждому из банков подключаются два усилителя, объединенных

Двумя внутренними шинами. Впервые RDRAM стали устанавливать

В высокопроизводительных графических станциях Silicon Graphics.

Чтобы обеспечить нормальное функционирование системы с сигна-

Лами, измеряемыми долями наносекунд (1,25 не), была разработана

Специальная топология шины модуля памяти. Этот модуль назвали

RIMM —Rambus In-line Memory Module (no аналогии с SIMM и

DIMM). Его особенность —одинаковая длина всех сигнальных до-

Рожек; благодаря этому ко всем чипам RDRAM модуля сигналы

Приходят одновременно. Дело в том, что при работе на частоте

МГц размеры RIMM становятся соизмеримыми с длиной волны

(около 37 см), что ужесточает требования к расположению элемен-

Тов на модуле. Работа на восьмикратной скорости достигается бла-

годаря целому комплексу мер:

•малой амплитуде сигналов (Rambus Signaling Logic с 0,8 В);

•хорошо продуманной топологии шины;

•плотной установке микросхем на модуле;

•установке заглушек на концах дорожек, чтобы гасить отраже-

Ние сигнала.

Применение нескольких распространяющихся в противофазе

Тактовых импульсов сводит к минимуму влияние помех. Специаль-

Ная ИС тактирования микросхем (RCG —Direct Rambus Clock

Generator) дает возможность согласовать направление распростра-

Нения данных по шине с направлением распространения тактовых