Следующим шагом в развитии Synchronous DRAM (SDRAM) мо-

Жет стать предложенная компанией Samsung DDR (Double Data Rate)

SDRAM или SDRAM II, в которой передача данных осуществляется

По обоим фронтам тактовых импульсов одновременно, чем достига-

Ется удвоение скорости передачи при той же тактовой частоте. То

Есть DDR позволяет выполнить две операции доступа к данным из

Двух разных модулей, находящихся в одном банке памяти, за время

Одного обращения стандартной SDRAM благодаря более точной

Внутренней синхронизации. Это есть дальнейшее развитие принципа

Чередования данных для увеличения скорости доступа к ним.

Кроме того, DDR использует DLL (delay-locked loop —цикл с

Фиксированной задержкой) для выдачи сигнала DataStrobe, озна-

Чающего доступность данных на выходных контактах. Используя

Один сигнал DataStrobe на каждые 16 выводов, контроллер может

Осуществлять доступ к данным более точно и синхронизировать

Входящие данные, поступающие из разных модулей, находящихся в

Одном банке. DDR фактически увеличивает скорость доступа вдвое

По сравнению с SDRAM, используя при этом ту же частоту.

В случае с 64-битовой шиной —это два 8-байтных пакета, 16 байт

за такт. Или в случае с шиной на 133 МГц —не 1064, а 2128 Мбайт/с.

Цена, энергопотребление и площадь микросхемы DDR отлича-

Ются не более чем на несколько процентов от соответствующих

DRAM. Следует отметить, что первые чипы DDR использовали

Производители видеокарт GeForce 256. Производительность карт на

Системах с мощным центральным процессором при использовании

Организация оперативной памяти 137

Приложений, оказывающих заметную нагрузку именно на шину па-

Мяти (например, 32-бит цвет), возрастает в 1,5 раза.

DDR-II SDRAM. К числу основных отличий технологии

DDR-II от предыдущего варианта (DDR-I) относится то, что в ней