Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Надежность интегральных схем
Степень интеграции – число элементов, расположенных на одном кристалле. Тенденции роста и сложность интегральных решений можно проследить на основании таблицы. Интенсивность отказов современных ИС колеблется в пределах λИС=(10-6–10-9) 1/ч.Распределение отказов ИС:
Например, для БИС памяти емкостью 64 КБита –λ = 2*10-7 1/ч; λС = 10-6 1/ч БИС и СБИС по сравнению с ИС с малой и средней степенью интеграции имеют большую интенсивность отказов, так как увеличение размеров корпуса и числа выводов повышают вероятность некачественной приварки контактных проводников и нарушение герметичности корпуса. С увеличением степени интеграции повышается влияние дестабилизирующих факторов на работу ИС. Установлено, что альфа-частицы вызывают случайные сбои без памяти. Высокая надежность п/п ИС обеспечивается групповым методом производства, меньшим количеством межэлементных соединений, меньшим уровнем потребляемой мощности. Все элементы ИС изготавливаются в единственном технологическом цикле и строго контролируются при минимуме ручного труда. Соединение контактных площадок кристалла ИС с выводами корпуса осуществляется методом компрессионной или ультразвуковой сварки. При сравнении обычного блока РЭА и ИС, соединяющей 1000 эквивалентных элементов, выявляется, что при интегральном решении число межсоединений уменьшается в 100-150 раз. Для ряда ИС характерно низкое потребление мощности и, как следствие, малая разница температуры ИС и окружающей среды, что создает условия для замедления физико-химических процессов, приводящих к отказам. Рекомендации по повышению надежности РЭА на ИС:: 1)Поддерживать высокую технологическую культуру производства РЭА.;2)Использовать только номинальные режимы работы элементов, т.е.;а) обеспечивать стабилизацию питающего напряжения;; б) выдерживать t-й режим, при необходимости применять принудительную вентиляцию; в) соблюдать требования по объединению входов и; 3) Обеспечивать защиту от магнитных помех и статического электричества. ---------------------------------------------------------- ---------------------------------------------------------- Date: 2015-09-05; view: 1072; Нарушение авторских прав |