Таблица 1. Программа испытаний.
| КТ №
| Контрольная точка
| Объект испытания
| Контролируемые параметры
| Метод испытания
| Периодичность испытания
| Испытательное оборудование
|
|
| Входной контроль стекла
| Подложка и заднее стекло
| Визуальный контроль (сколы и т.п.) Геометрические размеры стекла
Плоскостность стекла
Оптическое пропускание
Электрическое сопротивление
| Согласно спецификации SP-STANDARD-GL-SPC-11
| Каждая партия 1 % выборка
| 1. Эталонные линейки и измерительные приборы
2. УФ-Вид- Спектрофотометр
3. Мегаомметр
|
|
| Входной контроль стекла
| Подложка и заднее стекло
| Рабочая поверхность (свободная от загрязнения оловом)
| Визуально по свечению в ультрафиолетовом свете
| Каждая партия
| Ультрафиолетовый излучатель для определения рабочей поверхности стекла (определения поверхности загрязненной оловом по свечению)
|
|
| Контроль подложки после мойки
| Подложка
| Объемные дефекты (включения, пузыри)
Повреждения поверхности
| Автоматическая система оптического контроля, с установленной программой по распознаванию и классификации дефектов. Автоматически отбракованные подложки проверяются дополнительно.
| 100 % контроль
| - Автоматическая система оптического контроля
- Микроскоп
|
|
| Контроль подложки после мойки
| Подложка
| Поверхностная энергия стекла – способность к адгезии
| Нанесение жидкостей с различным коэффициентом поверхностного натяжения
| Не менее одного образца ежедневно или по требованию технолога
| Набор тестовых жидкостей для определения поверхностной энергии стекла (качества мойки стекла) – диапазон – от 42 мН/м до 72 мН/м с шагом stepsof 2 мН/м
|
|
| После операции осаждения прозрачного проводящего слоя оксида цинка (ППО)
| Подложка после нанесения ППО. Для измерения на спектрофотометре тестовые образцы изготовляются путем разрезания подложки
| Сопротивление (по 4-х точечному методу)
Толщина слоя
Доля диффузно-рассеянного света
Пропускание
| Сопротивление-4-х точечный метод.
Толщина – рефлектометрический метод.
Доля диффузного рассеяния – измерения с использованием интегрирующей сферы на автоматическом стенде или спектрофотометре
| Не менее одного образца ежедневно или по требованию технолога
| 1. Координатный (X-Y) измерительный стенд
2. Спектрофотометр в видимой и ультрафиолетовой области с установленной интегрирующей сферой для измерения светорассеяния (или автоматизированный стенд - спектральный анализатор диффузно рассеянного света)
3. Стенд для ручной резки стекла
|
|
| После операции первого скрайбирования
| Подложка с осажденным ППО после первого скрайбирования
| Сопротивление между слоями изолированными путем скрайбирования
| Сопротивление
| Не менее одного образца ежедневно или по требованию технолога
| Многоконтактный измерительный стенд
Измерение сопротивления непосредственно на станции скрайбирования.
|
|
| После операции осаждения кремния
| Слой аморфного кремния (наносится непосредственно на стекло без ППО)
| Толщина слоя аморфного кремния
Скорость осаждения
Однородность осаждения
| Рефлектометрически (при использовании оптических параметров в модели из базы данных вносится поправка на основе измерений на эллипсометре)
| Не менее одного образца ежедневно или по требованию технолога
| Координатный (X-Y) измерительный стенд
|
|
| После операции осаждения кремния
| Слой аморфного кремния (наносится непосредственно на стекло без ППО)
| Толщина слоя аморфного кремния
Скорость осаждения
Однородность осаждения
Оптические характеристики
| Эллипсометрически
| Не менее одного образца ежедневно или по требованию технолога
| Эллипсометр
|
|
| После операции осаждения кремния
| Слой кристаллического кремния (наносится непосредственно на стекло без ППО)
| Толщина слоя кристаллического кремния
Скорость осаждения
Однородность осаждения
Оптические характеристики
Степень кристалличности (косвенно как 1/коэффициент экстинкции для диапазона 40-80%)
| Эллипсометрически
| Не менее одного образца ежедневно или по требованию технолога
| Эллипсометр
|
|
| После операции осаждения кремния
| Слой кристаллического кремния (наносится непосредственно на стекло без ППО)
В зависимости от устройства спектрометра комбинационного рассеяния может понадобится разрезка модулей
| Степень кристалличности (соотношение полос микрокристаллического кремния (518 см-1), микрокристаллического кремния с дефектами (500 см-1), и аморфного кремния (480см-1).
Глубина проникновения зависит от частоты возбуждающего излучения
| Спектроскопия комбинационного рассеяния
| Не менее одного образца ежедневно или по требованию технолога
| 1. Спектрометр комбинационного рассеяния
2. Стенд для ручной резки стекла
|
|
| После операции 3-го скрайбирования
| Модуль после 3 скрайбирования
целиком
| Напряжение на индивидуальных ячейках и модуле в целом
| Измерение напряжения при экспозиции модуля светом
| Не менее одного образца ежедневно или по требованию технолога
| Многоконтактный измерительный стенд
|
|
| После операции 3-го скрайбирования
| Модуль после 3 скрайбирования (скрайбирование 1-3 выполняется по специальной программе для создания микромодулей)
По специальной программе на станции установки контактов фиксируются продольные контакты. Модуль разрезается на микромодули
| Контроль эксплуатационных характеристик модуля Исследование деградации модуля при освещении
| Измерение вольтамперной характеристики и спектральных характеристик (квантового выхода) до и после световой экспозиции при стандартных условиях
| Не менее одного образца ежедневно или по требованию технолога
| 1. Стенд исследования деградации минимодулей под воздействием света
2. Установка для измерения спектральных характеристик (квантовой эффективности) тонкопленочных солнечных ячеек
3. Имитатор солнечного излучения для измерения вольтамперных характеристик тонкопленочных солнечных ячеек
4. Стенд для ручной резки стекла
|
|
| После операции установки заднего (белого) отражателя
| Модуль после 3 скрайбирования (скрайбирование 1-3 выполняется по специальной программе для создания микромодулей)
По специальной программе на станции установки контактов фиксируются продольные контакты. Модуль разрезается на микромодули на которые устанавливается отражатель и проводится ламинирование
| Контроль эксплуатационных характеристик модуля
| Измерение вольтамперной характеристики и спектральных характеристик (квантового выхода)
| Не менее одного образца ежедневно или по требованию технолога
| 1. Установка для измерения спектральных характеристик (квантового выхода) тонкопленочных солнечных ячеек
2. Имитатор солнечного излучения для измерения вольтамперных характеристик тонкопленочных солнечных ячеек
3. Стенд для ручной резки стекла
|
|
| После операции ламинирования
| Модуль после операции ламинирования
| Изоляция модуля
Эксплуатационные характеристики модуля
| Проверка сопротивления изоляции высоким напряжением
Измерение вольтамперной характеристики
|
| 1. Импульсный имитатор солнечного излучения для измерения вольтамперных характеристик модулей
2. Установка для проведения высоковольтных испытаний
|
|
| Готовые модули
| Готовые модули
| Температурная устойчивость модуля
Сопротивление изоляции модуля в условиях его погружения в воду
Обнаружение шунтов
| Воздействие температуры (стандарт IEC61646)
Сопротивление изоляции (стандарт IEC61646)
Тепловая визуализация шунтов.
| Один из 500-1000 модулей
| 1. Термокамера для тестовых температурных испытаний надежности модуля по стандарту международной электротехнической комиссии IEC61646
2. Стенд для испытания электрического сопротивления изоляции модуля в условиях его погружения в воду по стандарту международной электротехнической комиссии IEC61646
3. Стенд для тепловизионных измерений для выявления шунтов
|
Рис.1. Контрольные точки автоматического контроля на производственной линии.
Рис. 2. Контрольные точки контроля с использованием лабораторного оборудования.
1.2. Иллюстрация КТ в тех процессе компании Oerlicon. 
