Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Вопрос 3. Дайте понятия областей нормальной и аномальной дисперсии
Ответ: Участки и (рис) традиционно носят название областей "нормальной" дисперсии. На этих участках возрастает с ростом . Область , соответствующая пику поглощения электромагнитной энергии, называется областью "аномальной" дисперсии. На участке резко убывает с ростом . Участку соответствует видимый диапазон нм. Левее точки (К) располагается инфракрасный диапазон (ИК), правее точки (Ф) - ультрафиолетовый (УФ). В увеличенном масштабе участок () имеет вид, показанный на рисунке. Поскольку ~ , зависимости соответствует рисунок 9.16, откуда следует, что для красного и ИК - диапазонов и - для фиолетового и УФ диапазонов, связаны следующим соотношением
.
В диэлектрических оптических волноводах, ионы которых содержат по нескольку электронов, ход зависимости более сложен (рис.) и каждая из областей аномальной дисперсии имеет свой пик поглощения. Так например, в "чистом" SiO2 наибольшие неприятности доставляют 2 типа поглощения: первый расположен в ИК - диапазоне, второй в УФ – области. "Хвосты" от указанных пиков поглощения оставляют для распространения сигнала лишь узкое "окно" прозрачности на длине волны 1,2 мкм с шириной самого " окна" около 0,4 мкм. Именно этот диапазон длин волн сегодня наиболее перспективен при конструировании ВОЛС на основе SiO2. Date: 2015-08-06; view: 790; Нарушение авторских прав |